发明名称 取代多环式环戊二烯类及其制法
摘要 具有下式(Ⅱ)之新颖多环式环戊二烯类:其中各取代基及符号R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Z1与Z2及〝n〞具有说明书中指定之意义。这些化合物可与过渡金属形成金属错合物,其已在一般乙烯与α-烯烃之(共)聚合中显示不寻常之性质。
申请公布号 TWI222964 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW090109058 申请日期 2001.04.16
申请人 伊尼奇公司 发明人 保禄毕亚吉尼;狄歌威格利亚罗洛;简彼卓波索堤;罗伯度桑堤
分类号 C07C13/547;B01J31/22;C08F4/42 主分类号 C07C13/547
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种具有下式(D)之多环式环戊二烯基化合物, 其中:R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Z1与Z2独立地代表 氢或具有1至6个碳原子之线形或分支烷基,另外,该 R或Z基任何之一可为二价有机基,其进一步键结至 另一个具有5至20个碳原子且包括环戊二烯基之有 机基,及〝n〞具有1至4(含)之任何整数値。 2.如申请专利范围第1项之化合物,其中各该符号R1 、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Z1与Z2代表氢或具有1至6 个碳原子之线形或分支烷基,及〝n〞具有1至3之値 。 3.如申请专利范围第1或2项之化合物,其中在式(Ⅱ) 中,Z1与Z2均为氢。 4.如申请专利范围第3项之化合物,其中选自式(Ⅱ) 之R1、R2、R3、与R4代表之任何两个基为具有1至4个 碳原子之线形或分支烷基。 5.如申请专利范围第1项之化合物,其中在式(Ⅱ)中, 符号R1、R2、R3、R4、Z1、与Z2均代表氢,且符号R5、R 6或R7至少之一独立地代表甲基或乙基。 6.如申请专利范围第5项之化合物,其中符号R5、R6 或R7至少之一独立地代表甲基。 7.如申请专利范围第1项之化合物,其中在式(Ⅱ)中, R5、R6或R7基之一为具有2至6个碳原子之二价烃或 矽烷基,其进一步键结至具有5至20个碳原子之第二 环戊二烯基。 8.如申请专利范围第7项之化合物,其中R5或R7基之 一为具有2至6个碳原子之二价烃或矽烷基,其进一 步键结至具有5至20个碳原子之第二环戊二烯基。 9.如申请专利范围第7项之化合物,其中第二环戊二 烯基选自环戊二烯基、基、茀基、及其同系基 。 10.如申请专利范围第8项之化合物,其中第二环戊 二烯基选自环戊二烯基、基、茀基、及其同系 基。 11.一种有机金属化合物,其包括至少一个藉由自环 戊二烯环摘取H+酸离子而形式上衍生自如申请专 利范围第1项之任何具有式(Ⅱ)之化合物之多环式 环戊二烯基阴离子,其具有以下通式(X): 其中: 各符号R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Z1与Z2基及代号" n"具有如申请专利范围第1至10项中任何一项之式( Ⅱ)对应符号之相同意义; Mv代表具有大于零之氧化态(或价数)"v"之元素周期 表中任何金属; 各Z'独立地为键结至金属Mv之阴离子本性之基如在 离子对之阴离子,或具有""型之共价键; Z"代表具有5至30个碳原子之有机基团,其包括配 位至金属Mv之环戊二烯基阴离子; "m"视Z"在具有式(X)之化合物中存在或不存在而具 有1或0之値; "p"具有使P=(v-m-1)之値。 12.如申请专利范围第11项之有机金属化合物,其中 该金属Mv选自周期表第1或2族之金属。 13.如申请专利范围第12项之有机金属化合物,其中 该金属Mv选自锂、钠或镁。 14.如申请专利范围第11项之有机金属化合物,其中 该金属Mv选自周期表第3至10族之过渡金属,其包括 镧系金属。 15.如申请专利范围第14项之有机金属化合物,其中 该金属Mv选自周期表第4至6族之金属。 16.如申请专利范围第15项之有机金属化合物,其中 该金属Mv选自氧化态+4之Ti、Zr或Hf。 17.如申请专利范围第11至16项中任何一项之有机金 属化合物,其中藉由具有1至15个碳原子之二价烃或 矽烷,将式(X)中选自Z'与Z"之基进一步与衍生自具 有式(Ⅱ)之化合物之多环式环戊二烯基共价键结, 在相同之式(X)中键结至金属Mv,以形成所谓之"桥接 "结构。 18.如申请专利范围第17项之有机金属化合物,其中 二价烃或矽烷具有2至6个碳原子。 19.一种如申请专利范围第17项之有机金属化合物, 其为一双环戊二烯基化合物,具有以下通式(XI): 其中: 各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Z1与Z2基及代号"n"具 有如申请专利范围第11项之式(X)中对应符号之相 同意义; Mq代表选自具有等于3或4之氧化态(或价数)"q"之钛 、锆与铪之金属; "t"在Mq之价数"q"为4时具有1价,及如果Mq之价数"q"为 3时为0价; X'与X"各独立地代表单价阴离子本性以-键结至 金属Mq之基; Cp代表配位于金属Mq之含5-环戊二烯基,或5- 杂环戊二烯基环之任何阴离子本性有机基。 20.如申请专利范围第19项之有机金属化合物,其中 Mq代表选自具有等于4之氧化态(或价数)"q"之钛、 锆与铪之金属。 21.如申请专利范围第19项之有机金属化合物,其中 Cp代表配位于金属Mq之含5-环戊二烯基,或5- 杂环戊二烯基环之任何阴离子本性有机基,且具有 至少5至30个碳原子。 22.如申请专利范围第19项之有机金属化合物,其中 该符号X'与X"各独立地代表阴离子本性以-键结 至金属Mq之基,其选自氢化物、卤化物、C1-C20烷基 或烷芳基、C3-C20烷基矽烷基、C5-C20环烷基、C6-C20 芳基或芳烷基、C1-C20烷氧基或硫烷氧基、C2-C20羧 酸基或胺甲酸基、C2-C20二烷基醯胺基、与C4-C20烷 基矽烷基醯胺基。或该X'与X"基彼此化学地键结且 形成具有4至7个异于氢之原子之环,其亦包括金属 Mq。 23.如申请专利范围第19至22项之任一项之有机金属 化合物,其中式(XI)中之Cp基选自环戊二烯基、基 或茀基,及其同系产物,其中分子骨架之一或更多 个碳原子,包括或未包括于环戊二烯环,以选自包 括氯、溴、具有1至10个碳原子之视情况地卤化之 线形或分支烷基、具有1至10个碳原子之烷基矽烷 基、具有5至10个碳原子之环烷基、具有6至10个碳 原子之视情况地卤化之芳基、烷氧基或硫烷氧基 之基团取代。 24.如申请专利范围第19至22项之任一项之有机金属 化合物,其中式(XI)之Cp基选自如申请专利范围第1 至7项之一项中具有式(Ⅱ)之多环式环戊二烯基化 合物之阴离子。 25.如申请专利范围第24项之有机金属化合物,其中 式(XI)之Cp基为与相同式(XI)之第一多环式环戊二烯 基阴离子相同。 26.如申请专利范围第19至22项之任一项有机金属化 合物,其中藉由具有1至15个碳原子之二价烃或矽烷 基,将式(XI)中之Cp基与衍生自具有式(Ⅱ)之化合物 之多环式环戊二烯基共价键结,在相同之式(XI)中 键结至金属Mq,以形成所谓之"桥接"结构。 27.如申请专利范围第26项之有机金属化合物,其中 该二价烃或矽烷基具有2至6个碳原子。 28.一种用于乙烯与其他-烯烃之(共)聚合之触媒, 其包括以下两种成分彼此接触,或其反应产物: (i)至少一种如前申请专利范围第14至26项任何一项 之金属错合物,其条件为具有式(X)之错合物中金属 Mv为周期表第4至6族之金属; (ii)共触媒,其包括至少一种异于碳且选自硼、铝 、锌、镁、镓、与锡之元素M'之有机金属化合物 。 29.如申请专利范围第28项之触媒,其中成分(ii)中之 元素M'选自硼与铝。 30.如申请专利范围第28或29项之触媒,其中成分(i) 中之金属错合物选自如申请专利范围第19至27项任 何一项具有式(XI)之错合物。 31.如申请专利范围第30项之触媒,其中成分(ii)为聚 合铝烷。 32.如申请专利范围第31项之触媒,其中成分(ii)为甲 基铝烷。 33.如申请专利范围第31或32项之触媒,其中具有式(X )之错合物中之过渡金属Mv或具有式(XI)之错合物中 之过渡金属Mq,与铝烷中之Al之原子比范围为100 至5,000。 34.如申请专利范围第28项之触媒,其中该成分(ii)由 至少一种M'之有机金属化合物之化合物或混合物 所组成,其可藉由自其摘取-键基以形成一方面 至少一种中性化合物,另一方面包括含金属Mv或Mq 之金属错合物阳离子与含金属M'之有机非配位阴 离子之离子化合物,其负电荷分散于多中心结构, 而与成分(i)中之错合物反应。 35.如申请专利范围第34项之触媒,其中M'为B或Al。 36.如申请专利范围第35项之触媒,其中M'为B。 37.如申请专利范围第34项之触媒,其中成分(ii)中之 金属M'与成分(i)中之金属Mv或Mq的原子比范围为1至 6。 38.如申请专利范围第34至37项任何一项之触媒,其 中成分(ii)包括选自具有下式之一之化合物之离子 性游离化合物: [(Rc)xNH4-x]+[B(RD)4]-;B(RD)3;[Ph3C]+[B(RD)4]-;[(Rc)3PH]+[B(RD)4 ]-;[Li]+[B(RD)4]-;[Li]+[Al(RD)4]- 其中代号"x"为范围为0至3之整数; 各Rc基独立地代表具有1至10个碳原子之烷基或芳 基,及各RD基独立地代表部份地或完全氟化之具有6 至20个碳原子之芳基。 39.如申请专利范围第38项之触媒,其中成分(ii)除了 离子性游离化合物,包括下式代表之三烷基铝或烷 卤铝: AlR9mX3-m, 其中:R9为线形或分支C1-C8烷基,或其混合物之一, X为卤素,及 "m"为范围为1至3(含)之十进位数字。 其成分(i)中之Mv或Mq与烷基铝中之Al之比例范围为1 /10至1/1,000。 40.如申请专利范围第39项之触媒,其中X为氯或溴。 41.如申请专利范围第39项之触媒,其中成分(i)中之 金属Mv或Mq与烷基铝中之Al之比例范围为1/100至1/500 。 42.一种-烯烃(共)聚合之方法,其系于连续法及批 式法二者之中,以一或多步骤于0.1~150 MPa之压力、 20℃至240℃之温度范围、视情况地在惰性稀释剂 存在下之(共)聚合方法,其特征为具有式(X)之错合 物之金属Mv或具有式(XI)之错合物之金属Mq,其形成 触媒之成分(i),其于聚合混合物中之浓度范围为10- 5至10-8莫耳/公升;且在以上条件下,将至少一种- 烯烃接触如前申请专利范围第28至41项之任何一项 之触媒。 43.如申请专利范围第42项之方法,其中至少一种- 烯烃为乙烯。 44.如申请专利范围第42或43项之方法,其中乙烯共 聚合至少一种具有3至10个碳原子之第二-烯烃。 45.如申请专利范围第44项之方法,其中除了第二- 烯烃,乙烯共聚合具有5至20个碳原子之脂族或脂环 族、非共轭二烯。 46.如申请专利范围第42项之方法,其中在适当惰性 液体介质之溶液或悬浮液中进行,包括具有3至15个 碳原子之脂族或环脂族烃,或其混合物。
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