发明名称 |
diamante de cristal único cvd ultra-resistente e crescimento tridimensional do mesmo |
摘要 |
DIAMANTE DE CRISTAL úNICO CVD ULTRA-RESISTENTE E CRESCIMENTO TRIDIMENSIONAL DO MESMO. A invenção refere-se a um crescimento de diamante de cristal único através da deposição química a vapor com plasma de microonda que possui uma resistência de pelo menos cerca de 30 MPa m¬ 1/2¬. A invenção também se refere a um método para produzir um diamante de cristal único com uma resistência de pelo menos cerca de 30 MPa m¬ 1/2¬. A invenção se refere, de forma adicional, a um processo para produzir um diamante CVD de cristal único em três dimensões em um substrato de diamante de cristal único.
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申请公布号 |
BRPI0515347(A) |
申请公布日期 |
2008.07.22 |
申请号 |
BR2005PI15347 |
申请日期 |
2005.09.09 |
申请人 |
CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON |
发明人 |
RUSSELL J HEMLEY;HO-KWANG MAO;CHIH-SHIUE YAN |
分类号 |
C01B31/06;C30B25/00;C30B29/04 |
主分类号 |
C01B31/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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