发明名称 diamante de cristal único cvd ultra-resistente e crescimento tridimensional do mesmo
摘要 DIAMANTE DE CRISTAL úNICO CVD ULTRA-RESISTENTE E CRESCIMENTO TRIDIMENSIONAL DO MESMO. A invenção refere-se a um crescimento de diamante de cristal único através da deposição química a vapor com plasma de microonda que possui uma resistência de pelo menos cerca de 30 MPa m¬ 1/2¬. A invenção também se refere a um método para produzir um diamante de cristal único com uma resistência de pelo menos cerca de 30 MPa m¬ 1/2¬. A invenção se refere, de forma adicional, a um processo para produzir um diamante CVD de cristal único em três dimensões em um substrato de diamante de cristal único.
申请公布号 BRPI0515347(A) 申请公布日期 2008.07.22
申请号 BR2005PI15347 申请日期 2005.09.09
申请人 CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON 发明人 RUSSELL J HEMLEY;HO-KWANG MAO;CHIH-SHIUE YAN
分类号 C01B31/06;C30B25/00;C30B29/04 主分类号 C01B31/06
代理机构 代理人
主权项
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