一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法

摘要

一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及钡铁氧体薄膜，尤其是c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法。首先将硝酸铁、硝酸钡溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A；然后取一定体积L的混合溶液A，并按0.05~0.20g/ml的比例加入PVP，溶解得到溶胶B；再将步骤2溶胶B旋涂于(001)晶向的蓝宝石基片上，形成薄膜C；再薄膜C进行干燥和热处理，即得到c轴取向钡铁氧体薄膜。本发明具有工艺流程简单、成本低，对生产设备要求不高的特点；并且可实现薄膜的成分的方便调节和膜层厚度的控制。本发明所制备的c轴取向钡铁氧体薄膜具有结构和性能上的各向异性，可用于磁记录介质材料、微波铁氧体器件中。

主权项

1、一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将硝酸铁、硝酸钡溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A，控制混合溶液A中的铁离子和钡离子的摩尔比在10～13之间；其中混合溶剂中水和乙二醇的体积比在0.5～1之间；步骤2：取一定体积L的混合溶液A，并按0.05～0.20g/ml的比例加入PVP，搅拌使PVP充分溶解，得到溶胶B；步骤3：将步骤2所得的溶胶B旋涂于洁净的(001)晶向的蓝宝石基片上，形成薄膜C；步骤4：对步骤3所得的薄膜C进行干燥处理；步骤5：对干燥处理后的薄膜C进行热处理，得到单层c轴取向钡铁氧体薄膜。所述热处理步骤分为两个阶段：首先控制温度在500～550℃，时间1小时以上，降解有机物；然后控制温度在1000～1100℃下退火1小时以上；步骤6：重复步骤3至步骤5，得到设计厚度的c轴取向钡铁氧体薄膜。