| 摘要 |
원자층 증착(ALD)에 의해 실리콘 및 실리콘 함유 막을 증착시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 실리콘 함유 막의 ALD를 수행하기 위해 구성된 배치 처리 시스템에 기판을 배치하는 단계, 기판을 비포화량의 실리콘 함유 제1 전구체에 노출시키는 단계, 및 배치 처리 시스템으로부터 제1 전구체를 배출 또는 퍼징하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 기판을 포화량의 실리콘 또는 도펀트 함유 제2 전구체에 노출시키는 단계로서, 제1 전구체 및 제2 전구체 중 하나만이 할로겐을 함유하고, 기판 상에서의 제1 전구체와 제2 전구체의 반응으로 실리콘 또는 실리콘 함유 막 및 휘발성 수소-할로겐(HX) 부산물이 형성되는 단계, 배치 처리 시스템으로부터 제2 전구체 및 HX 부산물을 배출 또는 퍼징하는 단계, 및 실리콘 또는 실리콘 함유 막이 소정 두께를 가질 때까지, 노출 단계, 및 배출 또는 퍼징 단계를 반복하는 단계를 더 포함한다. |
