| 主权项 |
1.一种形成一半导体装置方法,该半导体装置包含一基片(200),该方法包含下列步骤:沉积一第一介电层(206)在基片上,第一介电层具有一相对该基片的上表面;形成一第一电容器空腔在第一介电层内(206);沉积一第一电容器电极层(210)在第一介电层和第一电容器空腔的上表面上;化学机械抛光第一电容器电极层以曝露第一介电层的上表面(225)以形成一第一电容器电极在第一电容器空腔内;沉积一电容器介电层(242)在第一电容器电极层上及曝露第一介电层的上表面;沉积一第二电容器电极层(244)在电容器介电层;及布型第二电容器电极层以形成一第二电容器电极。2.根据申请专利范围第1项的方法,另包含下列步骤:于化学机械抛光之前沉积一牺牲层(240)在第一电容器电极层上;及于化学机械抛光沉积一牺牲层(240)的步骤时移走牺牲层的至少一埠。3.根据申请专利范围第1项的方法,其中该电容器介电层包含一从一群组选择的材料,其实质走出钛酸锶钡(BST),钛酸钡(BTO),钛酸锶(STO),钛酸铅(PT),锆铅(PZ),钛锆铅(PZT),钛锆镧铅(PLZT),钽铋锶(SBT),铌酸铋锶(SBN),及钽铌酸铋锶(SBNT)所构成。4.根据申请专利范围第1项的方法,其中第一电容器电极层包含一从一群组选择的材料,其实质是由铼(Re),铑(Rh),锇(Os),铱(Ir),氧化铼(ReO2,ReO3),氧化锇(OsO2),氧化铱(IrO2),钌(Ru),氧化钌(RuO2),氧化钌锶(SrRuO3),氧化钴锶镧(LSCO),氧化铜钡钇(YBCO),铂(Pt),及钯(Pd)所构成。5.一种在一半导体装置中形成一电容器的方法,该半导体装置具有一基片(45),该方法包含下列步骤:形成一第一介电层(60)在基片上,第一介电层具有一相对该基片的上表面(66);形成一第一电容器空腔(69)在第一介电层内;形成一第一电容器电极层在第一介电层(70)和第一电容器空腔的上表面上;形成一电容器介电层(75)在第一电容器电极层上;形成第二电容器电极层(80)在电容器介电层;及化学机械抛光第一电容器电极层,电容器介电层,及第二电容器电极层以曝露第一介电层的上表面;及其中第一电容器电极层,电容器介电层,及第二电容器电极层形成电容器(82)。6.一种形成一半导体装置的方法,包含下列步骤:提供一半导体基片(45);沉积一第一介电层(55)在该半导体基片上;形成一第一电容器电极(310)在第一介电层上;形成一电容器介电层(320)在第一介电层上;形成一第二电容器介电层(330)在电容器介电层上;其中至少第一电容器电极及第二电容器电极系使用涂布程序形成。7.一种形成一半导体装置的方法,包含下列步骤:提供一半导体基片;沉积一第一介电层在该半导体基片上;形成一第一电容器空腔在第一介电层上;涂布一第一电容器电极层在第一电容器空腔内;形成一电容器介电层在第一电容器电极层上;及形成一第二电容器电极层在电容器介电层上。图式简单说明:第一图是一先前技艺动态随机存取记忆体位元逻辑格的一电路图;第二图是第一图的先前技艺动态随机存取记忆体位元逻辑格的一横剖面图;第三图-第十图是根据本发明的第一具体实施例形成一电容器方方法的连续步骤的横剖面图;第十一图-第十六图是根据本发明的第二具体实施例形成一电容器方法的连续步骤的横剖面图。第十七图是根据本发明的第三具体实施例形成一电容器方法的连续步骤的横剖面图。 |
