| 主权项 |
1.一种离散半导体装置,系由:留下规定间隔所配置之晶粒接合垫及接线接合垫;具有将其背面固定在上述晶粒接合垫上,且与上述接线接合垫可通电相连接之电极部之离散半导体元件;以及将上述离散导体元件加以封装所设置在上述晶粒接合垫及上述接线接合垫之单面之封装树脂等所构成者。2.如申请专利范围第1项记载之离散半导体装置,其中之上述晶粒接合垫及接线接合垫,乃在绝缘片背面之规定位置,以留下间隔状态,固定之导电性金属板所构成,并将金属板上之上述绝缘片造成开口形成单面装配基板者,其中,上述封装树脂即在,将上述离散半导体元件加以封装之状态下,设置在上述单面装配基板之片面为其特征者。3.如申请专利范围第1项记载之离散半导体装置,系将在导电性金属板上形成之上述晶粒接合垫及上述接线接合垫,以上述封装树脂为支撑体所裁切制成之上述金属板;亦系利用上述封装树脂,将上述晶粒接合垫及上述接线接合垫,留下上述规定间隔加以固定,并将上述离散半导体元件加以封装之状,将其设置在上述晶粒接合垫及上述接合垫之片面为其特征者。4.如申请专利范围第1至3项中任一项记载之离散半导体装置,其中上述离散半导体元件,在其背面具有电极部,构成与上述接线接合垫电性相连接为其特征者。5.如申请专利范围第2或3项记载之离散半导体装置,系由复数之上述离散半导体元件,利用成一体之上述封装树脂,施予树脂封装所构成为其特征者。6.如申请专利范围第3项记载之离散半导体装置,系由复数之上述离散半导体元件,将上述晶粒接合垫及/或上述接线接合垫充成共同组件,由成一体之上述封装树脂,施予树脂封装所构成为其特征者。7.一种离散半导体装置之制造方法,系在绝缘片背面之规定位置上,将导电性金属板,个别加以固定,同时,将该金属板上之上述绝缘片加以开口,以形成复数组之晶粒接合垫及接线接合垫之步骤;在上述晶粒接合垫上,将离散半导体元件之背面个别固定在此,令各离散半导体元件之电极部与上述接线接合垫两者通电相连接之装配步骤;针对上述绝缘片之封装面,施予树脂封装,并将上述绝缘片上复数之上述离散半导体元件,利用成一体之封装树脂,加以树脂封装之步骤;以及,在上述离散半导体元件之周围处,将上述封装树脂加以裁切,使其分割成各个离散半导体装置之分割步骤所构成为其特征者。8.如申请专利范围第7项记载之离散半导体装置之制造方法,其中上述装配步骤,乃包含将离散半导体元件之背面电极,固定在上述晶粒接合垫上,使上述晶粒接合垫与上述背面电极双方通电相连接之步骤为其特征者。9.如申请专利范围第7项记载之离散半导体装置之制造方法,其中,上述分割步骤,系将复数之上述离散半导体元件成为一体,在其周围裁切上述封装树脂,将其分割成,具有复数之上述离散半导体元件,由成一体之上述封装树脂施予树脂封装之离散半导体装置之步骤为其特征者。10.一种离散半导体装置之制造方法系由:在导电性金属板上,将复数半导体元件以其背面固定,使各个离散半导体元件之电极部与上述金属板之规定位置双方通电相连接之步骤;将上述金属板之装配面,由成一体之封装树脂施予封装之步骤;将上述金属板,自背面加以裁切,使上述金属板成为,留下间隔所设置之晶粒接合步骤及接线接合垫之切断步骤;以及,将上述封装树脂,在上述离散半导体元件之周围加以裁切,将其分割成各个离散半导体装置之分割步骤所将成为其特征者。11.如申请专利范围第10项记载之离散半导体装置之制造方法,其中上述封装步骤,乃包含在上述金属板上,固定离散半导体元件之背面电极,令上述金属板与上述背面电极两者通电相连接之步骤为其特征者。12.如申请专利范围第10项记载之离散半导体装置之制造方法,其中上述分割步骤乃将复数之上述离散半导体元件充成一体,在其周围裁切断上述封装树脂,将其分割成复数之上述离散半导体元件,由成一体之上述封装树脂施予树脂封装之步骤为其特征者。13.如申请专利范围第10项记载之离散半导体装置之制造方法,其中,上述裁切步骤,乃以令连接在复数之上述离散半导体元件之上述晶粒接合垫及/或上述接线接合垫,成为一体之状态,将上述金属板加以切断之步骤;而上述分割步骤,则在,今上述晶粒接合垫及/或上述接线接合垫,成为一体之状态所形成之上述离散半导体元件之周围,将上述封装树脂加以裁切,将其分割成可令上述晶粒接合垫及/或上述接线接合垫,成为共同组件之复数之上述离散半导体元件,且由成一体之上述封装树脂,施予树脂封装之离散半导体装置之步骤为其特征者。图式简单说明:第一图系本发明实施形态1中,离散半导体装置之斜视图。第二图(a)系本发明实施形态1中,单面封装基板之上面图。第二图(b)系第二图(a)上A-A'线截面剖面图。第三图系将本发明实施形态1之离散半导体装置,装载在母板时之剖面图。第四图系本发明实施形态1中,离散半导体装置之组装流程。第五图系片状之单面装配基板之上面图。第六图系实施晶粒接合制程后之单面装配基板之上面图。第七图系实施接线接合制程后之单面装配基板之上面图。第八图系实施树脂封装制程后之单面装配基板之上面图。第九图(a)系实施树脂封装制程后之单面装配基板之上面图。第九图(b)系实施树脂封装制程后之单面装配基板之剖面图。第十图系经过烙上记号制程后之单面装配基板之剖面图。第十一图(a)系将框挟具加以固定后之上面图。第十一图(b)系第十一图(a)中B-B'线截面之剖面图。第十二图系经过分割制程后之单面装配基板之上面图。第十三图系经过捆索制程后之上面图。第十四图系本发明实施形态2之离散半导体装置之斜视图。第十五图系本发明实施形态2之离散半导体装置之上面透视图。第十六图系第十四图中C-C'线截面之剖面图。第十七图系铜框之上面图。第十八图系经过晶粒接合制程后之上面图。第十九图系经过接线接合制程后之上面图。第二十图系经过分割制程后之离散半导体装置之剖面图。第二十一图(a)系本发明实施形态3之离散半导体装置之斜视图。第二十一图(b)系本发明实施形态3之离散半导体装置之上面透视图。第二十二图系本发明实施形态4之离散半导体装置之斜视图。第二十三图(a)系本发明实施形态4之离散半导体装置之上面透视图。第二十三图(b)系第二十二图中D-D'线截面剖面图。第二十四图(a)系本发明实施形态4另外之离散半导体装置之上面透视图。第二十四图(b)系本发明实施形态4另外之离散半导体装置之剖面图。第二十五图(a)系以往构造之离散半导体装置之上面透视图。第二十五图(b)系以往构造之离散半导体装置之侧面透视图。第二十六图(a)系在进行以往构造之离散半导体装置之制造时所用之引线框。第二十六图(b)系引线框之部分扩大图。第二十七图系以往构造之离散半导体装置之组装流程。 |
