| 主权项 |
1.一种复晶矽熔丝的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底上已形成有一保险;形成一介电层覆盖该半导体基底及该保险丝;形成一蚀刻终止层覆盖该介电层;定义该蚀刻终止层以形成一片状结构之该蚀刻终止层,并暴露出该介电层,且该片状结构之该蚀刻终止层对应于该保险丝;以及形成一保护层覆盖该片状结构之该蚀刻终止层及该介电层。2.如申请专利范围第1项所述之复晶矽熔丝的制造方法,其中该保险丝的材质包括复晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之复晶矽熔丝的制造方法,其中形成该介电层的方法包括低压化学气相沈积法。4.如申请专利范围第1项所述之复晶矽熔丝的制造方法,其中形成该蚀刻终止层的方法包括反应性溅镀法。5.如申请专利范围第1项所述之复晶矽熔丝的制造方法,其中该蚀刻终止层的材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之复晶矽熔丝的制造方法,其中定义该蚀刻终止层的方法包括微影蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之复晶矽熔丝的制造方法,其中形成该保护层的方法包括化学气相沈积法。8.如申请专利范围第1项所述之复晶矽熔丝的制造方法,其中该保护层的材质包括二氧化矽。9.一种复晶矽熔丝的结构,包括:一保险丝,位于一半导体基底上;一介电层,覆盖该半导体基底及该保险丝;一片状结构之蚀刻终止层,位于该介电层上,并且该蚀刻终止层对应于该保险丝;以及一保护层,覆盖该蚀刻终止层及该介电层。10.如申请专利范围第9项所述之复晶矽熔丝的结构,其中该保险丝的材质包括复晶矽。11.如申请专利范围第9项所述之复晶矽熔丝的结构,其中该介电层的材质包括二氧化矽。12.如申请专利范围第9项所述之复晶矽熔丝的结构,其中该蚀刻终止层的材质包括氮化矽。13.如申请专利范围第9项所述之复晶矽熔丝的结构,其中该保护层的材质包括二氧化矽。图式简单说明:第一图绘示的是习知一种复晶矽熔丝的制造剖面图;第二图是依照第一图所绘示之复晶矽熔丝的上视图;第三图A-第三图B绘示的是依照本发明一较佳实施例的一种复晶矽熔丝的制造流程剖面图;以及第四图是依照第三图B所绘示之复晶矽熔丝的上视图。 |
