| 主权项 |
1.一种发光装置,包括:一导电材料的底层;一块配置在此底层上的电绝缘材料,此块的至少一部分为透光体;一配置在此块上的导电材料顶层;选自由第四族,第三至第五族,及第二至第六族材料所组成之群组的材料的多个分离毫微晶体,此等毫微晶体均被配置在该块内,因而,才会与此底层及顶层成为电绝缘;以及被分别连接至底层及顶层之底部与顶部电极,用以将一电压施加在它们之间。2.根据申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该块包括一电绝缘材料的底层及一电绝缘材料的顶层,前者具有被配置于其上的分离毫微晶体,后者则被生成在此等毫微晶体上面。3.根据申请专利范围第2项所述之发光装置,其中该电绝缘材料的预层为透光体。4.根据申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该等底层及顶层的导电材料为多晶矽。5.根据申请专利范围第4项所述之发光装置,其中该底层的导电材料为p搀杂多晶矽。6.根据申请专利范围第4项所述之发光装置,其中该顶层的导电材料为n搀杂多晶矽。7.根据申请专利范围第1项之所述之发光装置,其中该顶部电极为铟锡氧化物。8.根据申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该等毫微晶体均系用一种选自包括矽(Si)与锗(Ge)群组的材料生成。9.根据申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该等毫微晶体均系用一种选自由GaAs,GaAlAs,GaInAs,GaInAsP,GaInP,GaN及GaInN等所组成之群组的材料所生成。10.根据申请专利范围第1项所述之发光装置,其中该等毫微晶体均系用一种选自由ZnSe,ZnTe,ZnSeTe,CdSe,CDS,ZnCdS,ZnCdSe,ZnCdSeTe及ZnCdSTe等所组成之群组的材料所生成。11.根据申请专利范围第1项所述之发光装置,其中乃系在该块内将毫微晶体大致间隔分离起来,俾不致生成一连续膜层。12.根据申请专利范围第1项所述之发光装置,其中乃系将该等毫微晶体大致施以间隔分离,俾又致生成一连续膜层以及将它们所制成之大小定在15至170埃的范围内。13.根据申请专利范围第11项或第12项所述之发光装置,其中该等毫微晶体之间的间隔大于1尘米。14.根据申请专利范围第1项所述之发光装置,其中导电材料的预层与底层亦分别包括顶部及底部电极。15.一种发光装置,包括:一导电材料的底层;被彼此堆叠起来及配置在底层上的多个块,该块邻接底层的至少一部分为透光体,其余的块则全部为透光体;一被配置在多个块上之导电材料顶层;选自由第四族,第三至第五族,及第二至第六族材料的多个分离毫微晶体均被配置在每个块内,因而,才会与底层及顶层成为电绝缘;以及被分别连接至底层及顶层之底部及顶部电极,用以将一电压施加在它们之间。16.根据申请专利范围第14项之发光装置,其中该等块均包括一电绝缘材料的底层,至少一电绝缘材料的中间层,及一电绝缘材料的预层,该底层具有多个被配置于其上的底部分离毫微晶体,该中间层被生成在该等底部毫微晶体上面并具有多个被配置于其上的中间毫微晶体,该顶层则被生成在多个最后的中间毫微晶体上面。17.根据申请专利范围第16项所述之发光装置,其中该中间层及顶层的电绝缘材料均为透光体。18.根据申请专利范围第14项所述之发光装置,其中该底层及顶层的导电材料均为多晶矽。19.根据申请专利范围第18项所述之发光装置,其中该底层的导电材料为p搀杂多晶矽。20.根据申请专利范围第18项所述之发光装置,其中该顶层的导电材料为n搀杂多晶矽。21.根据申请专利范围第14项所述之发光装置,其中该顶部电极为铟锡氧化物。22.根据申请专利范围第14项所述之发光装置,其中该等毫微晶体均系用一种选自包括Si及Ge群组的材料所生成。23.根据申请专利范围第14项所述之发光装置,其中该等毫微晶体均系用一种选自包括GaAs,GaAlAs,GaInAs,GaInAsP,GaInP,GaN及GaInN等群组的材料所生成。24.根据申请专利范围第14项所述之发光装置,其中该等毫微晶体均系用一种选自由ZnSe,ZnTe,ZnSeTe,CdSe,CDS,ZnCdS,ZnCdSe,ZnCdSeTe及ZnCdSTe所组成之群组的材料所生成。25.根据申请专利范围第14项所述之发光装置,其中该等毫微晶体均被大致间隔分离在该块内,俾不致生成一连续膜层。26.根据申请专利范围第14项所述之发光装置,其中该等毫微晶体均大致被间隔分离的,俾不致生成一连续膜层以及该等毫微晶体所具有的大小均系在15至170埃的范围内。27.根据申请专利范围第25或26项所述之发光装置,其中该等毫微晶体之间的间隔均大于1尘米。28.根据申请专利范围第14项所述之发光装置,其中该顶层及底层的导电材料亦分别包括顶部及底部电极。图式简单说明:第一图例示本发明之一种发光结构之第一具体实例。第二图例示本发明之发光结构之第二具体实例。第三图为表示被沉积在一处氧化物表面上之毫微晶体的照相图。第四图为表示被沉积在一处氧化物表面上之锗矽毫微晶体的照相图。第五图为表示锗的导电谱带结构的曲线图。第六图为表示本发明之发光第二具体实例的照相图。 |
