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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates
摘要
申请公布号 DE4447680(C2) 申请公布日期 1999.08.26
申请号 DE19944447680 申请日期 1994.02.10
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K. 发明人 ARIMOTO, SATOSHI;HAYAFUJI, NORIO;DEGUCHI, MIKIO;HAMAMOTO, SATOSHI
分类号 H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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