| 主权项 |
1.一种圆筒状电容器下电极的制造方法,提供一半导体基底,该半导体基底上已形成一绝缘层和一接触窗开口,该方法包括:于该绝缘层上形成一导电层,并填入该接触窗开口;在该导电层上形成图案化之一光阻层;于该光阻层侧边形成一间隙壁;以该间隙壁为罩幕,蚀刻该光阻层与部分该导电层,于该绝缘层上形成一圆筒状电容器下电极;以及去除余留的该间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之圆筒状电容器下电极制造方法,其中该间隙壁的形成方法包括:于该基底上形成一共形之矽化光阻层,覆盖该光阻层及该导电层表面;以及进行非等向性乾式蚀刻去除部份该矽化光阻层,以在该光阻层侧边形成该间隙壁。3.如申请专利范围第1项所述之圆筒状电容器下电极制造方法,其中该间隙壁之形成方法包括:涂布一深紫外光光阻层于该光阻层及该导电层表面;进行一矽化反应,使该深紫外光光阻层矽化成一矽化光阻层;以及进行非等向性乾式蚀刻去除部份该矽化光阻层,以在该光阻层侧边形成该间隙壁。4.如申请专利范围第1项所述之圆筒状电容器下电极制造方法,其中蚀刻该光阻层与部分该导电层之方法包括非等向性乾蚀刻。5.如申请专利范围第1项所述之圆筒状电容器下电极制造方法,其中该间隙壁之去除方法包括等向性湿式蚀刻。6.一种圆筒状电容器的制造方法,提供一半导体基底,该半导体基底上已形成一绝缘层和一接触窗开口,该方法包括:于该绝缘层上形成一导电层,并填入该接触窗开口;在该导电层上形成图案化之一光阻层;于该基底上形成一层共形之矽化光阻层;去除部份该矽化光阻层,并于该光阻层侧边形成一矽化光阻层间隙壁;以该矽化光阻层间隙壁为罩幕,蚀刻该光阻层与部分该导电层,于该绝缘层上形成一圆筒状电容器下电极;以及去除余留的该间隙壁。7.如申请专利范围第6项所述之圆筒状电容器下电极制造方法,其中该矽化光阻层之形成方法包括:涂布一深紫外光光阻层;以及进行一矽化步骤,使得该深紫外光光阻层矽化成该矽化光阻层。8.如申请专利范围第6项所述之圆筒状电容器下电极制造方法,其中蚀刻该光阻层与部分该导电层之方法包括非等向性乾蚀刻。9.如申请专利范围第6项所述之圆筒状电容器下电极制造方法,其中该间隙壁之去除方法包括等向性湿式蚀刻。图式简单说明:第一图A-第一图F系其绘示习知一种圆筒状电容器下电极制造流程剖面示意图;以及。第二图A-第二图G系根据本发明之一较佳实施例,一种圆筒状电容器下电极制造流程剖面示意图。 |
