| 摘要 |
将一种液体底层涂料雾化,流动入沉积室(2)中并沈积在基体(5)上。将一种液体先质(64)雾化,流动入沉积室(2)中并沉积在基体(5)上。将底层涂料和先质乾燥而形成一片固态薄膜,然后将它热处理,形成一部份的积体电路(ll10)中之电子组件(1112),例如在记忆格中之电介质(1130)。底层涂料是一种溶剂而先质则包括一种金属羧酸盐,金属醇盐或金属烷氧基羧酸盐在一种先质之溶剂中,该底层涂科和先质溶剂宜是相同溶剂,例如：2-甲氧基乙醇,各种二甲苯,醋酸正-丁酯或六甲基-二矽氨烷。 |
| 主权项 |
1.一种制造积体电路(1110)之方法,此方法包括下列步骤:(a)提供一种液体先质(64);(b)放置基体(5)在一具封闭式沉积室(2)之内部;(c)产生液体先质的先质雾(66);(d)使先质雾流经沉积室而形成一层的先质液体在基体上;(e)处理经沉积在基体上之液体层而形成固体材料的薄膜(1130);及(f)完成制造积体电路(1110)而包括至少一部份的固体材料薄膜在积体电路的组件(1112)中;该方法之特征为下列步骤:(g)提供一种液体底层涂料;(h)产生该液体底层涂料的雾及(i)在流动先质雾之步骤前,使该底层涂料雾流经沉积室(2)而形成一层的底层涂料液体在基体(5)上。2.一种制造积体电路(1110)之方法,此方法包括下列步骤:(a)提供一种液体先质(64);(b)放置基体(5)在一具封闭式沉积室(2)之内部;(c)产生液体先质的先质雾(66);该方法之特征为下列步骤:(d)提供一种液体底层涂料;(e)产生该液体底层涂料的底层涂料雾;(f)使先质雾和底层涂料雾流经沉积室而形成底层涂料和先质之液体混合物在基体上;(g)处理经沉积在基体上之液体混合物而形成固体材料的薄膜(1130);及(h)完成制造积体电路(1110)而包括至少一部份的固体材料薄膜在积体电路的组件(1112)中。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中该液体底层涂料包括一种底层涂料溶剂。4.如申请专利范围第3项之方法,其中底层涂料溶剂包括:由2-甲氧基乙醇,各种二甲苯,醋酸正丁酯和六甲基-二矽氨烷之该团中所选出之一种溶剂。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该先质包括一种金属氧化物在先质溶剂中,该金属氧化物系选自该团:一种金属醇盐和金属羧酸盐,及一种金属烷氧基羧酸酯。6.如申请专利范围第4项之方法,其中先质溶剂与底层涂料溶剂相同。7.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中使各种雾流入沉积室中,同时经持基体在周围之温度下。8.如申请专利范围第1项之方法,其中各种雾系同时流入沉积室中。9.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中使各种雾流入沉积室中,同时维持真空在沉积室中。10.如申请专利范围第1或第2项之方法,包括在沉积室外部,混合许多不同底层涂料雾的另外步骤而形成欲流动入沉积室中之底层涂料雾混合物。11.如申请专利范围第1或第2项之方法,包括迤加紫外光辐射至底层涂料雾和先质雾之一的另外步骤,同时该雾正流经沉积室。12.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中处理的步骤包括施加紫外光辐射至经沉积在基体上之底层涂料层和先质层之一上。13.如申请专利范围第1或第2项之方法,包括施加DC偏压在沉积室(2)与基体(5)间的步骤。14.一种制造积体电路(1110)之装置(1),该装置含有:(a)一个沉积室(2);(b)一个基体支架(4)(系经定是在沉积室内);(c)用以产生液体先质的雾之设备(46-1);该装置之特征为:9d)用以产生液体底层涂料的雾之设备(46-2);(e)设备(8,10)用以使底层涂料雾和液体雾流经沉积室(2)而形成一液体层在基体(5)上,该液体层包含底层涂料液体和先质液体;及(f)设备(16)用以处理经沉积在基体上之液体层而形成固体材料的薄膜(1130)在基体(5)上。15.如申请专利范围第14项之装置,其中该液体底层涂料包括一种底层涂料溶剂。16.如申请专利范围第15项之装置,其中底层涂料溶剂包括:由2-甲氧基乙醇,各种二甲苯,醋酸正丁酯和六甲基-二矽氨烷之该团中所选出之一种溶剂。17.如申请专利范围第16项之装置,其中该先质包括一种金属氧化物在先质溶剂中,该金属氧化物系选自该团:一种金属醇盐和金属羧酸盐,及一种金属烷氧基羧酸酯。18.如申请专利范围第16项之装置,其中先质溶剂与底层涂料溶剂相同。图式简单说明:第一图是根据本发明,雾化之沉积系统的沉积室部份的剖视侧视图;第二图是第一图之系统中,吸入和排出喷嘴组合体的平面图;第三图是第一图的系统中,吸入喷嘴的放大平面图;第四图是根据本发明,雾化之沉积系统的雾产生器之示意侧视图;第五图是根据本发明,缓冲室及相关联之入口和出口汽门的示意平面图;第六图是流程图显示根据本发明之制造积体电路的方法;第七图是根据本发明,雾化之沉积室的较佳实施例顶视图;第八图和第九图显示:在两种不同位置之障壁板组合体和基体来举例说明:障壁板与基体间,可调整之关系;第十图是透视图显示:根据本发明,沉积室内之紫外光辐射源的部位;第十一图显示:使用本发明的装置与方法所制造之一部份的积体电路晶圆截面侧视图;第十二图是一幅图表比较:BST薄膜的膜厚度,BST薄膜的介电常数,和使用该BST薄膜所造成之电容器的漏电流,系关于使用一种底层涂料所造成之BST薄膜及未使用底层涂料所造成之BST薄膜;第十三图是使用底层涂料所造成之BST电容器截面之电子显微照片;及第十四图是未使用底层涂料所造成之BST电容器截面之电子显微照片。 |
