摘要 |
<p>Die Schalteinrichtung umfasst a) wenigstens ein MOSFET-Schaltelelement (2) sowie b) wenigstens ein JFET-Schutzelement (3), das zum Schaltele-ment elektrisch in Reihe geschaltet ist und den elektri-schen Strom auf einen Maximalstrom (Sättigungsstrom) be-grenzt, undc) Steuermittel (4, 5, C, R3, 31), die den Maximalstrom des JFET-Schutzelementsc1) bei oder zeitverzögert zu dem Einschalten des Schaltele-ments wenigstens im zeitlichen Mittel auf wenigstens ei-nen erhöhten Wert undc2) anschließend wieder auf wenigstens einen niedrigeren Wert steuern.Vorteil: höhere Anlauf- oder Einschaltüberströme werden zuge-lassen, später werden Überströme wieder begrenzt.</p> |