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发明名称 GROWING METHOD OF HIGH-QUALITY SIC SINGLE CRYSTAL WITH LOW DEFECTS
摘要
申请公布号 KR20060095268(A) 申请公布日期 2006.08.31
申请号 KR20050016776 申请日期 2005.02.28
申请人 NEOSEMITECH INC. 发明人 SEO, SOO HYUNG;KIM, JAE WOO;KIM, KWAN MO;SONG, JOON SUK;OH, MYUNG HWAN
分类号 C30B29/36 主分类号 C30B29/36
代理机构 代理人
主权项
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