用于静电释放保护的设备

摘要

一种设备包括静电释放(ESD)保护装置。在一个实施例中，保护装置在防止其发生瞬间电事件的内部电路的第一节点和第二节点之间。保护装置包括双极型器件或硅控整流器(SCR)。双极型器件或SCR可具有修改的结构或附加电路以具有选择的保持电压和/或触发电压来提高对内部电路的保护。附加电路可包括一个或多个电阻器、一个或多个二极管、和/或计时器电路，以将双极型器件或SCR的触发和/或保持电压调节成期望电平。保护装置可提供针对例如从大约100V至330V的瞬间电压的保护。

主权项

一种用于静电释放保护的设备，包括：电耦接在第一节点和第二节点之间的内部电路；以及电耦接在第一节点和第二节点之间的保护装置，其中保护装置被配置成保护内部电路以防止瞬间电事件，保护装置包括：具有第一类型的掺杂的埋层(510)；位于埋层上方的第一塞体(540)，并具有第一类型的掺杂，且掺杂浓度高于埋层，第一塞体具有从保护装置俯视看到的环形；埋层上方的第一阱(520)，其被第一塞体横向环绕，第一阱具有第一类型的掺杂且掺杂浓度低于第一塞体的掺杂浓度；横向环绕第一塞体的第二塞体(530)，第二塞体具有不同于第一类型的第二类型的掺杂；第一区域(550)，其至少部分地处于与埋层相对的第一阱(520)的端部中，而且电耦接至第一节点，第一区域具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二塞体(530)的掺杂浓度；处于第二塞体(530)的顶部中的第二区域(560)，其电耦接至第二节点，第二区域具有第二类型的掺杂且掺杂浓度高于第二塞体的掺杂浓度；以及电阻器，其电耦接在第一区域(550)和第一塞体(540)之间，其中电阻器处于第一区域和第一塞体的外部。