PROCEDE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS PAR CROISSANCE EPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE

摘要

LE DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UN BLOC COMPORTANT UN TROU EN FORME DE FENTE QUI MAINTIENT UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET UN CONTENEUR DE FACON A CONTENIR LES SOLUTIONS DE SEMI-CONDUCTEURS ET PEUT COULISSER SUR LE BLOC, EST CARACTERISE EN CE QUE LE TROU EN FORME DE FENTE COMPORTE DES PAROIS QUI FORMENT UN ANGLE IMPORTANT PAR RAPPORT AU PLAN HORIZONTAL ET COMPORTE UN ORIFICE D'ADMISSION DE SOLUTION A SA PARTIE SUPERIEURE ET UN ORIFICE DE SORTIE DE SOLUTION A SA PARTIE INFERIEURE, ET UN MOYEN POUR MAINTENIR LE SUBSTRAT AVEC SA FACE PRINCIPALE SENSIBLEMENT PARALLELE AUX PAROIS.