| 摘要 |
<p>Es wird eine ESD-Schutzvorrichtung vorgeschlagen, die einen vertikalen als Diode geschalteten Bipolartransistor (44, 56, 40, 50, 52, 54) umfaßt, bei der die Kontaktierung der Kollektorschicht (54) hochohmig ausgeführt ist. Die erfindungsgemäße Anordnung weist bei platzsparendem Aufbau eine erhöhte Haltespannung auf.</p> |
