OPERABLE FLOATING GATE CONTACT FOR SOI

摘要

본 발명은 실리콘-온-절연체(silicon-on-insulator) 반도체 디바이스 구조체를 이용하는 FET 구조체에 관한 것이다. 이 구조체는 실리콘-온-절연체 기판 구조체를 포함한다. 실리콘-온-절연체 기판 상에는 소스 및 드레인 확산 영역이 제공된다. FET 바디 영역은 소스 및 드레인 확산 영역에 상호접속된다. 게이트 산화물 영역은 바디 영역과 소스 및 드레인 확산 영역의 적어도 일부분 위에 배치된다. 게이트 영역은 게이트 산화물 영역의 적어도 일부분 위에 배치된다. 다이오드는 게이트 영역과 FET 바디 영역 사이에 접속되어 도전성 경로(a conductive pathway)를 제공한다. 다이오드는 고 임계 전압 FET 영역(a high threshold FET region)에 의해 FET 소스 및 드레인 영역과 반전 채널(inversion channel)로부터 전기적으로 격리된다.