| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体处理装置，具备：收容被处理基体的容器；向上述容器内导入含氢原子的气体的导入口，在上述容器内载置上述被处理基体的下部电极；为了在上述容器内引起放电来产生等离子体的，与上述下部电极对峙的上部电极；给上述下部电极和上述上部电极间施加电压的电源；在上述容器内的一部分上设置的金属氧化物构造体，在导入上述含氢原子的气体时上述金属氧化物构造体被还原。 | ||
| 申请公布号 | CN1291451C | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200310103871.8 | 申请日期 | 2003.11.18 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大内淳子;大岩德久 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;陈海红 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，具备：收容被处理基体的容器，向上述容器内导入含氢原子的气体的导入口，在上述容器内载置上述被处理基体的下部电极，为了在上述容器内引起放电来产生等离子体的，与上述下部电极对峙的上部电极，给上述下部电极和上述上部电极间施加电压的电源，在上述容器内的一部分上设置的金属氧化物构造体，在导入上述含氢原子的气体时上述金属氧化物构造体被还原。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||