| 摘要 |
在一实施例中，一种浮体场效电晶体包括一对源极/汲极区域，一浮体通道区域收纳于其之间。该等源极/汲极区域及该浮体通道区域系收纳于一绝缘体上。一闸电极接近于该浮体通道区域。一闸极介电质收纳于该闸电极与该浮体通道区域之间。该浮体通道区域具有一半导体含Si#sB!x#eB!Ge#sB!(1-x)#eB!区域。该浮体通道区域具有一收纳于该半导体含Si#sB!x#eB!Ge#sB!(1-x)#eB!区域与该闸极介电质之间的半导体含矽区域。该半导体含Si#sB!x#eB!Ge#sB!(1-x)#eB!区域具有大于该半导体含矽区域内之任何Ge量之Ge量。预期其他实施例，包括形成浮体场效电晶体之方法。 |
