发明名称 |
静电放电防护电路及集成电路 |
摘要 |
一种静电放电防护电路,该静电放电防护电路包括硅控整流器(siliconcontrolled rectifier;SCR)以及金属氧化物半导体触发元件,该硅控整流器有阴极与阳极,阴极连接至第一固定电位,该金属氧化物半导体触发元件有栅极、连接至该第一固定电位的源极以及连接至该阳极的漏极,此外,该金属氧化物半导体触发元件实体上不位于该硅控整流器之内。根据本发明的静电放电防护电路,在硅控整流器导通后只有微小电流通过,该金属氧化物半导体触发元件因此可免于静电放电脉冲的破坏,也形成较为耐用的静电放电防护作用。 |
申请公布号 |
CN100563007C |
申请公布日期 |
2009.11.25 |
申请号 |
CN200710136890.9 |
申请日期 |
2007.07.23 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
游国丰;李建兴;施教仁;杨富智 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈 晨 |
主权项 |
1.一种静电放电防护电路,包括:硅控整流器元件,有阴极与阳极,阴极连接至第一固定电位;以及金属氧化物半导体触发元件,有栅极、连接至该第一固定电位的源极以及连接至该阳极的漏极;其中,该金属氧化物半导体触发元件实体上不位于该硅控整流器之内;其中,该硅控整流器元件包括P型的浓掺杂区以作为该阳极、环绕该P型的浓掺杂区的N型阱区、环绕该N型阱区的N型浓掺杂区以作为该阴极以及环绕该N型浓掺杂区的P+保护环;其中,该金属氧化物半导体触发元件为位于N型浓掺杂区外的N型金属氧化物半导体元件。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |