发明名称 静电放电防护电路及集成电路
摘要 一种静电放电防护电路,该静电放电防护电路包括硅控整流器(siliconcontrolled rectifier;SCR)以及金属氧化物半导体触发元件,该硅控整流器有阴极与阳极,阴极连接至第一固定电位,该金属氧化物半导体触发元件有栅极、连接至该第一固定电位的源极以及连接至该阳极的漏极,此外,该金属氧化物半导体触发元件实体上不位于该硅控整流器之内。根据本发明的静电放电防护电路,在硅控整流器导通后只有微小电流通过,该金属氧化物半导体触发元件因此可免于静电放电脉冲的破坏,也形成较为耐用的静电放电防护作用。
申请公布号 CN100563007C 申请公布日期 2009.11.25
申请号 CN200710136890.9 申请日期 2007.07.23
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 游国丰;李建兴;施教仁;杨富智
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 陈 晨
主权项 1.一种静电放电防护电路,包括:硅控整流器元件,有阴极与阳极,阴极连接至第一固定电位;以及金属氧化物半导体触发元件,有栅极、连接至该第一固定电位的源极以及连接至该阳极的漏极;其中,该金属氧化物半导体触发元件实体上不位于该硅控整流器之内;其中,该硅控整流器元件包括P型的浓掺杂区以作为该阳极、环绕该P型的浓掺杂区的N型阱区、环绕该N型阱区的N型浓掺杂区以作为该阴极以及环绕该N型浓掺杂区的P+保护环;其中,该金属氧化物半导体触发元件为位于N型浓掺杂区外的N型金属氧化物半导体元件。
地址 中国台湾新竹市