发明名称 |
应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法 |
摘要 |
本发明公开了一种应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法,所述硅纳米砖阵列结构是由硅纳米砖单元排列而成的阵列,硅纳米砖单元由介质基底和介质基底上刻蚀的硅纳米砖构成;所述阵列中,所有介质基底的长宽高相等,硅纳米砖的长宽高根据位相需求设计。该硅纳米砖阵列结构可使平行于纳米砖长边方向的线偏振光和平行于纳米砖宽边方向的线偏振光经全息片衍射后呈现不同全息图案;利用视差效应,并配合偏振眼镜,即可观察到高信噪比、大视角和良好体验的三维立体全息效果。本发明工艺简单,可广泛用于显示、传感、防伪、信息存储等领域。 |
申请公布号 |
CN105843025A |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201610363922.8 |
申请日期 |
2016.05.27 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
郑国兴;李子乐;吴伟标;刘国根;吕良宇;王宇 |
分类号 |
G03H1/04(2006.01)I;G03H1/08(2006.01)I;G03H1/16(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I |
主分类号 |
G03H1/04(2006.01)I |
代理机构 |
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 |
代理人 |
胡艳 |
主权项 |
应用于傅里叶三维全息的硅纳米砖阵列结构,其特征是:所述硅纳米砖阵列结构是由硅纳米砖单元排列而成的阵列,硅纳米砖单元由介质基底和介质基底上刻蚀的硅纳米砖构成;介质基底和硅纳米砖均为长方体形,介质基底和硅纳米砖的长宽高均为亚波长尺度,介质基底的工作面及其工作面的相对面为正方形;介质基底和其上刻蚀的硅纳米砖的三组棱分别平行,且介质基底和其上刻蚀的硅纳米砖的中心点的连线垂直于介质基底工作面;所述阵列中,所有介质基底的长宽高相等;所有硅纳米砖的高相等,但长宽根据位相需求设计。 |
地址 |
430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 |