| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une structure de diode à avalanche dans un circuit intégré, réalisée par la jonction latérale entre deux couches enterrées adjacentes (11, 12) de types de conductivité opposés et à fort niveau de dopage. Cette diode comprend une première couche enterrée (11) à fort niveau de dopage du même premier type de conductivité que le substrat du circuit intégré ; une deuxième couche enterrée (12) à fort niveau de dopage du deuxième type de conductivité, entourant la première couche enterrée et en contact latéral avec celle-ci ; et une troisième couche enterrée (13) à faible niveau de dopage du deuxième type de conductivité située sous la première couche enterrée et en débordement par rapport à celle-ci pour être aussi en contact avec une portion de la deuxième couche enterrée.</p> |
