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发明名称 VERTICAL GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND EPITAXIAL SUBSTRATE
摘要
申请公布号 CA2563731(A1) 申请公布日期 2006.09.08
申请号 CA20062563731 申请日期 2006.03.01
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 SAKURADA, TAKASHI;MIURA, KOUHEI;TANABE, TATSUYA;KIYAMA, MAKOTO;HASHIMOTO, SHIN
分类号 H01L29/12;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/872 主分类号 H01L29/12
代理机构 代理人
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