| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer bondbaren Metallisierung (1) auf einem Halbleitersubstrat (3) für einen Leistungshalbleiter, wobei die bondbare Metallisierung (1) eine erste Metallisierungslage (M1), welche auf das Halbleitersubstrat (3) aufgebracht ist, und eine zweite Metallisierungslage (M2) aufweist, welche auf die erste Metallisierungslage (M1) aufgebracht ist, und eine korrespondierende bondbare Metallisierung (1). Erfindungsgemäß wird zur Ausbildung der zweiten Metallisierungslage (M2) eine Kupfermetallisierung (Cu) auf die erste Metallisierungslage (M1) aufgebracht, wobei auf die Kupfermetallisierung (Cu) eine Aluminium enthaltende Passivierungsschicht (PS) abgeschieden wird. |
