| 发明名称 | 使用附加带电区域来改善电荷俘获存储器结构中的存储 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种设备，该设备包括存储器和读/写(R/W)单元。该存储器包括耦接到公共电荷俘获层的多个栅极。该R/W单元被配置为通过生成并读取公共电荷俘获层中的一组带电区域来对存储器进行编程和读取，其中该一组中的至少给定区域并非唯一地与栅极中的任何单个栅极相关联。 | ||
| 申请公布号 | CN105917412A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201580004662.9 | 申请日期 | 2015.01.08 |
| 申请人 | 苹果公司 | 发明人 | A·黎萨尔;A·P·迈尔;Y·舒尔;E·格吉;B·鲍姆 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 周磊 |
| 主权项 | 一种设备，包括：存储器，所述存储器包括耦接到公共电荷俘获层的多个栅极；和读/写(R/W)单元，R/W单元被配置为通过生成并读取所述公共电荷俘获层中的一组带电区域来对所述存储器进行编程和读取，其中所述一组中的至少给定区域并非唯一地与所述栅极中的任何单个栅极相关联。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||