| 主权项 |
1.一种开启电路C,其包括:一电压转换器用以转换外部供应电压至至少供应该电路C之一部分之内部供应电压;及一电源开启电路C1用以产生讯号CE来致能该电路C,电源开启电路C1延迟该讯号CE至少到该电路C运作为止。2.如专利申请范围第1项所述之电路C,其中该电源开启电路C1是由该内部供应电压供给电源,该电源开启电路C1包含:一延迟电路用以延迟相对于内部供应电压之在一节点上之讯号S1在,及一电路C2于该当讯号S1到达一预设电压水准时,产生该讯号CE。3.如专利申请范围第2项所述之电路C,其中该讯号S1在内部供应电压到达其最后电压水准后到达该预设电压水准。4.如专利申请范围第2项所述之电路C,其中该电路C2包含一反相器,该反相器有为接收该讯号S1之输入端点,以及当该讯号S1到达该预设电压水准时,改变其输出状态之输出端点。5.如专利申请范围第4项所述之电路C,其中该电路C2更包含一NOR闸,该NOR闸包含耦合至该反相器输出端点之一第一输入端点、接收外部提供致能讯号之一第二输入端点及提供该讯号CE之输出端点。6.如专利申请范围第5项所述之电路C,其中该预设电压水准为该反相器之释放点。7.如专利申请范围第6项所述之电路C,其中该讯号S1在内部供应电压到达其最后电压水准后到达该反相器之释放点。8.如专利申请范围第2项所述之电路C,其中该延迟电路包括在该内部供应电压与该节点间耦合之电阻/电容电路。9.如专利申请范围第8项所述之电路C,其中该电阻包括与一第二导电型式之一第二半导体区形成一PN接合面之一第一导电型式之一第一半导体区,其中该第二半导体区是由一电源供应电压来偏压。10.如专利申请范围第9项所述之电路C,其中该第二半导体区用以接收该外部供应电压。11.如专利申请范围第8项所述之电路C,其中包括一二极体,其耦合在至少电阻之一节点与一电源供应端点间以当电源关闭时,帮助该节点放电。12.如专利申请范围第8项所述之电路C,其中一足够弱泄漏电晶体被连接至该节点,以当电源关闭时,帮助该节点放电。13.如专利申请范围第1项所述之电路C进一步包括一偏压产生器来产生偏压给该电路C之一半导体区,讯号CE被延迟至该偏压到达可让该电路C运作之値。14.如专利申请范围第1项所述之电路C进一步包括一闩锁器,该闩锁器在电源开启时被设定于一预设状态,而对使其处于该预设状态之输入讯号反应,该电路C1产生此输入讯号与延迟此输入讯号直到一供给此闩锁器之电压已发展到足够使闩锁器运作时。15.如专利申请范围第14项所述之电路C,其中该闩锁器之预定状态是由一可程式部件之状态所决定。16.一种于电源开启时致能电路C之方法,其包括:(a)转换一外部供应电压至一内部供应电压;及(b)产生一致能该电路C之讯号CE,其中该讯号CE被延迟至少至该电路C运作。17.如专利申请范围第16项所述之方法,其中该第(b)步骤进一步包括:(c)在一节点上产生一相对于内部供应电压为延迟之讯号S1;及(d)当该讯号S1到达该预定电压水准时,产生该讯号CE。18.如专利申请范围第17项所述之方法,其中该讯号S1在内部供应电压到达其最后水准后才到达预设电压水准。19.如专利申请范围第17项所述之方法,其中第(c)步骤是由一包括一反相器之电路C2来执行,此反相器有接收讯号S1之输入端点与一输出端点,此输出端点当讯号S1到达该预设电压水准时改变状态。20.如专利申请范围第15项所述之方法,其中电路C2进一步包括一NOR闸,此NOR闸有耦合至此反相器输出端之第一输入端点、接受外部提供致能讯号之第二输入端点与提供讯号CE之输出端点。21.如专利申请范围第20项所述之方法,其中该预设电压水准是反相器之释放点。22.如专利申请范围第21项所述之方法,其中该讯号S1在该内部供应电压到达其最后电压水准后才到达反相器之释放点。23.如专利申请范围第17项所述之方法,其中第(d)步骤由一延迟电路执行,此延迟电路包括在内部供应电压与节点间耦合之一电阻/电容电路。24.如专利申请范围第23项所述之方法,其中该电阻包括与一第二导电型式之一第二半导体区形成一PN接合面之一第一导电型式之一第一半导体区,其中该第二半导体区是由一电源供应电压来偏压,此方法包括:关闭电源供给电压;及藉由该PN接合面与该第二半导体区路径来放电该第一半导体体区。25.如专利申请范围第24项所述之方法,其中该第二半导体区接收外部供应电压。26.如专利申请范围第24项所述之方法,其中一二极体耦合在至少电阻之一节点与一电源供应端点间,该方法包括:关闭电源供应电压;及藉由该二极体对该电阻节点放电。27.如专利申请范围第23项所述之方法,其中一足够的弱泄漏电晶体被连接至该节点,以当电源关闭时,帮助该节点放电。28.如专利申请范围第16项所述之方法进一步包括产生偏压给电路C,而讯号CE被延迟至偏压到达可让电路C运作之値。29.如专利申请范围第16项所述之方法,其中进一步包括偏压一闩锁器于预定状态,其中该讯号CE至少延迟至闩锁器接受足够功率而可被闩锁器外部讯号设定于该预定状态。30.如专利申请范围第29项所述之方法,其中该预定状态是由可程式部件之状态所决定。图式简单说明:第一图是依据本发明之一电路之一部分电路图。第二图是相同电路之另一部分之电路图。第三图是第一图电路之讯号时序电路图。第四图是第一图电路之一部分之电晶体程度图。第五图、第六图是与第一图电路一起使用之一些电源关闭电路。 |
