| 主权项 |
1.一种蚀刻中减低凹洞现象的制造方法,适用于形成有被蚀刻层的半导体基板,而该蚀刻中减低凹洞现象的制造方法包括下列步骤:于该被蚀刻层上形成至少一蚀刻终止层;于该蚀刻终止层上形成一遮蔽层;于该遮蔽层上形成既定图案的光阻层;以该光阻层为罩幕利用一第一蚀刻气体来蚀刻该遮蔽层,而蚀刻终止于该蚀刻终止层,其中所使用之该第一蚀刻气体系对该蚀刻终止层具有极高的选择比,以减少该遮蔽层之一缺陷裂口转移到该蚀刻终止层的程度;以该光阻层为罩幕利用一第二蚀刻气体来蚀刻该蚀刻终止层;剥除该光阻层;以及以该遮蔽层及蚀刻终止层为罩幕利用一第三蚀刻气体来蚀刻该被蚀刻层。2.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,该被蚀刻层系一复晶矽层,其表面具有一改善电性用之矽化钨层。3.如申请专利范围第2项所述的制造方法,其中,该蚀刻终止层系一TEOS层。4.如申请专利范围第3项所述的制造方法,其中,该遮蔽层系一BARC层,其表面具有因缺陷产生之开口。5.如申请专利范围第4项所述的制造方法,其中,蚀刻该BARC层之该第一蚀刻气体,系为O2.N2。6.如申请专利范围第4项所述的制造方法,其中,蚀刻该TEOS属之该第二蚀刻气体,系为CHF3.CF4.Ar、N2。7.一种在复晶矽蚀刻中减低凹洞现象的制造方法,包括:在矽基板上提供一欲进行蚀刻之复晶矽层;在该复晶矽层表面依序形成一TEOS层及一BARC层;在该BARC层表面定义光阻之图案;以该光阻为罩幕,利用O2.N2电浆蚀刻该BARC层;以该光阻为罩幕,利用CHF3.CF4.Ar、N2电浆蚀刻该BARC层;去除该光阻;以及利用蚀刻后之该BARC层及该TEOS层为罩幕,蚀刻该复晶矽层。图式简单说明:第一图A-第一图D系习知进行罩幕氧化层蚀刻及复晶矽蚀刻时,形成针孔及矽凹洞的剖面示意图;以及第二图A-第二图F系本发明进行罩幕氧化层蚀刻及复晶矽蚀刻时,形成针孔及矽凹洞的剖面示意图。 |
