Process for contamination free comminuting of semi-conductor material, especially of silicon.

摘要

Körper aus hochreinem Halbleitermaterial lassen sich erfindungsgemäß dadurch kontaminationsfrei zerkleinern, daß sie Stoßwellen ausgesetzt werden. Das Verfahren wird vorzugsweise bei Raumtemperatur durchgeführt, so daß eine durch hohe Temperaturen induzierte und/oder beschleunigte Diffusion oberflächlich adsorbierter Fremdmetalle ins Innere des Halbleitermaterials weitgehend vermieden wird.