| 主权项 |
1.一种双闸极氧化层元件的制程,适用于包含第1主动区域以及第2主动区域的半导体基底,上述制程包括下列步骤:(a)利用热氧化法以在上述半导体基底表面形成第1氧化层;(b)去除上述第2主动区域的第1氧化层,以露出半导体基底表面,而留下第1主动区域的第2氧化层;(c)利用含有氢气的气体,以热处理露出的半导体基底表面;以及(d)利用热氧化法以在上述第2主动区域的半导体基底表面形成一第2氧化层,并且使上述第1主动区域之第1氧化层追加氧化而形成第3氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中步骤(c)含有氢气的气体系氢气。3.如申请专利范围第1项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中步骤(c)含有氢气的气体系氢气及氮气之混合气体。4.如申请专利范围第1项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中步骤(c)热处理的温度介于600-1100℃之间。5.如申请专利范围第1项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中上述步骤(b)更包括下列步骤:(i)利用一光阻图案覆盖住上述第1主动区域;(ii)以含有氢氟酸的溶液蚀刻上述第2主动区域的第1氧化层;以及(iii)去除上述光阻图案。6.如申请专利范围第1项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中上述第1主动区域系周边元件区域。7.如申请专利范围第6项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中上述第2主动区域系逻辑元件区域。8.如申请专利范围第1项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中上述第2氧化层的厚度介于15-40埃之间。9.如申请专利范围第8项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中上述第3氧化层的厚度介于50-80埃之间。10.一种双闸极氧化层元件的制程,适用于包含周边元件区域以及逻辑元件区域的半导体基底,上述制程包括下列步骤:(a)利用热氧化法以在上述半导体基底表面形成第1氧化层;(b)形成一光阻图案,以覆盖上述周边元件区域;(c)利用上述光阻图案为蚀刻罩幕,并且以含有氢氟酸的溶液去除上述逻辑元件区域的第1氧化层,以露出半导体基底表面;(d)去除上述光阻图案,此时上述逻辑元件区域之半导体基底形成有原始氧化层;(e)利用含有氢气的气体进行热处理,以去除上述原始氧化层;以及(f)利用热氧化法以在上述逻辑元件区域的半导体基底表面形成一第2氧化层,并且使上述周边元件区域的第1氧化层追加氧化而形成第3氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中步骤(e)含有氢气的气体系氢气。12.如申请专利范围第10项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中步骤(e)含有氢气的气体系氢气及氮气之混合气体。13.如申请专利范围第10项所述之双闸极氧化层元件的制程,其中步骤(e)热处理的温度介于600-1100℃之间。图式简单说明:第一图-第五图为根据本发明较佳实施例之双闸极氧化层元件的制程剖面示意图。 |
