| 主权项 |
1.一种蚀刻接触洞之方法,该接触洞穿越至少一层氧化层,该方法至少包含:形成一硬式罩幕于该至少一层氧化层之上,该硬式罩幕与该氧化层间具有高蚀刻选择性;流入含氟气体、氧气、一氧化碳以及氩气于一反应室中;提供一含氟离子之电浆于该反应室中,并提供一磁场以加速该含氟离子以蚀刻该至少一层氧化层;提供一含Ar+物种之物理性撞击并为维持该电浆与该磁场于该反应室中以蚀刻该至少一层氧化层;及去除该硬式罩幕。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之硬式罩幕包含非晶形矽(a-Si)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之硬式罩幕包含含氢掺杂非晶形矽(a-Si:H)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之硬式罩幕包含复晶矽(poly-Si)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氟气体包含C4F8。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氟气体包含CF4。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氟气体包含CHF3。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氧气气体流量约为5至20 sccm。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之含氟气体流量约为5至50 sccm。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氩气气体流量约为50至250 sccm。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之一氧化碳气体流量约为10至200sccm。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之电浆功率约为1000至2000 W。13.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之磁场强度约为50至200高斯。14.一种蚀刻接触洞于至少一层氧化物层中之方法,该接触洞之深度大于2.7微米,该方法至少包含流入含氟气体、氧气、一氧化碳以及氩气于一反应室中并提供一磁场加速之含氟离子电浆及提供一含磁场加速之Ar+离子之物理性撞击于反应室中以蚀刻该至少一层氧化物层。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之含氟气体包含C4F8。16.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之含氟气体包含CF4。17.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之含氟气体包含CHF3。18.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之氧气气体流量约为5至20 sccm。19.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之含氟气体流量约为5至50 sccm。20.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之氩气气体流量约为50至250 sccm。21.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之一氧化碳气体流量约为10至200 sccm。22.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之电浆功率约为1000至2000 W。23.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之磁场强度约为50至200高斯。图式简单说明:第一图为本发明之流程图。第二图为本发明之形成硬式罩幕于绝缘层上之截面图。第三图为本发明之蚀刻后之截面图。 |
