发明名称 处理气体供给装置及处理气体供给方法
摘要 本发明,系关于对例如半导体制造装置等,使高黏度的液体气体化面供给之处理气体供给装置及处理气体供给方法。本发明的处理气体供给装置,具备;收容有藉有机氧化合物降低其黏度的液状之有机铝金属化合物的供给源;把供给源,与以有机铝金属化合物对处理对象物进行成膜处理的处理装置予以连接之供给管路;把收容在供给源的有机铝金属化合物经由供给通路加以压送之压送装置;及设在供给管路上用以将压送的液状有机铝金属化合物气化的气化装置。同时,本发明之处理气体供给方法,其特征为:使液状的有机铝金属化合物之黏度藉有机氧化合物降低;把黏度降低的有机铝金属化合物压送至供给管路;使在供给管路压送之液状有机铝金属化合物藉气化装置气化而形成处理气体;把处理气体,经由供给管路,供给对处理对象物进行根据有机铝金属化合物的成膜处理之处理装置。
申请公布号 TW425599 申请公布日期 2001.03.11
申请号 TW086106066 申请日期 1997.05.07
申请人 东京威力科创有限公司 发明人 堀内孝;五味久;伊藤昌秀;阵内新平
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种处理气体供给装置,其特征在于具有:收容有藉有机氧化合物降低其黏度的液状之有机铝金属化合物的供给源;把前述供给源与以前述有机铝金属化合物对处理对象物进行成膜处理装置予以连接的供给管路;把收容在前述供给源之有机铝金属化合物经由前述供给通路加以压送之压送装置;及设在前述供给管路上用以把压送之液状有机铝金属化合物气化的气化装置。2.如申请专利范围第1项之处理气体供给装置,该装置具有设在前述供给管路上用以吸引藉前述压送装置所压送之液状有机铝金属化合物,同时控制其流量的泵装置者。3.如申请专利范围第1项之处理气体供给装置,其中前述铝金属化合物为二甲基氢化铝、二甲基乙基胺铝、二甲基胺铝、三甲基铝中之任一者。4.如申请专利范围第1项之处理气体供给装置,其中前述有机氧化合物为甲基酯、乙基酯、甲醚、乙醚、乙醇、甲醇中之任何1种或其等之混合物。5.如申请专利范围第1项之处理气体供给装置,并具有把前述气化装置和前述处装置之间的供给管路之部位加热,使其维持在已气化的机铝金属化合不会再液化并且也不会热分解之温度的第1加热装置。6.如申请专利范围第1项之处理气体供给装置,并具有:连接在前述供给管路上用以在供给管路内导入加压之冲洗气体之冲洗气体导入装置;连接在前述倾给管路上用以在供给管路内导入溶解有机铝金属化合物的溶媒的溶媒导入装置;连接在前述供给管路上用以把供给管路内的流体吸引排出之排出装置;及具有设在前述给管路上之多数之阀而藉使前述阀进行切换动作以控制通过供给管路的流体之流动的控制装置。7.如申请专利范围第6项之处理气体供给装置,并具有与前述处理装置连接,且可将气体供入处理装置之处理室以调整处理室内的压力之压力调整装置。8.如申请专利范围第7项之处理气体供给装置,其中前述压力调整装置系兼作冲洗气体导入装置者。9.如申请专利范围第6项之处理气体供给装置,其中前述压送装置并系兼作冲洗气体导入装置者。10.如申请专利范围第6项之处理气体供给装置,并具有把排出装置加热,使其维持存在有机铝金属化合物不会再液化并且也不会热分解的温度之第2加热装置。11.如申请专利范围第1项之处理气体装置,其中前供给管路是和供给源连接成可自由装卸者。12.如申请专利范围第6项之处理气体供给装置,其中前述容媒为具有孤立电子对之有机溶媒者。13.如申请专利范围第6项之处理气体供给装置,其中前述溶媒为己烷、甲苯、苯中之任何1种或其等之混合物者。14.一种处理气体供给方法,其特征为:藉有机氧化合物使液状的有机铝金属化合物之黏度降低;把黏度已降低之前述有机铝金属化合物压送至供给管路;藉气化装置使经供给管路压送的液状之前述有机铝金属化合物气化而形成处理气体;通过前述供管路,把前述处理气体供入以前述有机铝金属化合物对处理对象物进行成膜处理之处理装置。15.如申请专利范围第14项之处理气体供给方法,其特征在于:压送经供给管路之液状前述有机铝金属化合物系经泵装置积极吸引,同时并控制其流量而送至气化装置。16.如申请专利范围第14项之处理气体供给方法,其中前述有机氧化合物为甲酯、乙酯、甲醚、乙醚、乙醇、甲醇中之任何1种或其等之混合物者。图式简单说明:第一图为显示关于本发明的一实施例之处理气体供给装置的电路构成之图;第二图为显示设在第一图的处理气体供给装置之供给管路的气化装置之构成的断面图;第三图A为显示把液体的材料气化将之做为处理气体供给的沸腾法之图;第三图B为显示把液体的材料气化将之做为处理气体供给的焙烧法之图;第三图C为显示把液体的材料气化将之做为处理气体供给的直接气化法之图;第四图A为显示以钨把接触孔埋置的习知之工程的第1阶段之图;第四图B为显示以钨把接触孔埋置的习知之工程的第2阶段之图;第四图C为显示以钨把接触孔埋置的习知之工程的第3阶段之图;第四图D为显示以钨把接触孔埋置的习知之工程的第4阶段之图;第四图E为显示以钨把接触孔埋置的习知之工程的第5阶段之图;
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