| 主权项 |
1.一种半导体雷射二极体包含位在基体上之第一导电型式护套层,一活性层,及第二导电型式护套层,其中基体的表面向一给定的晶体方向倾斜。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中该基体的表面向[011]方向倾斜。3.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中该基体的倾斜度在偏离15度的范围之内。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中该基体为GaAs。5.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中该活性层具有InGaP/InGaAsP/InGaP之量子井结构。6.如申请专利范围第5项之半导体雷射二极体,其中该GaP系形成于活性层的InGaP及InGaAsP之间。图式简单说明:第一图之局部视图示依据本发明的半导体雷射二极体;第二图示一依据本发明之基体斜坡,在室温下的光照明(PL);第三图示依据本发明之基体斜坡上在10K下的PL;以及第四图示在0度偏离基体及15度偏离基体下雷射二极体的光电特性。 |
