| 发明名称 | 采用离子注入法切割单晶膜 | ||
| 摘要 | 提供一种从表层/衬底或整块晶体结构中分离单晶膜的方法。该方法包括下述步骤:将离子注入晶体结构中,在其中位于晶体结构的顶表面下方的注入深度处形成损伤层;化学蚀刻掉损伤层,从晶体结构中分离出单晶膜。使含有注入离子的损伤层的晶体结构快速升温,无需化学蚀刻就可以分离出薄膜。本发明的方法特别可用于从金属氧化物晶体结构中分离金属氧化物单晶膜。也披露了提高晶体蚀刻切割速度的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1371434A | 申请公布日期 | 2002.09.25 |
| 申请号 | CN00807479.8 | 申请日期 | 2000.04.07 |
| 申请人 | 纽约市哥伦比亚大学托管会 | 发明人 | M·莱维;R·C·小奥斯古德;A·M·拉多杰维克 |
| 分类号 | C30B33/00;C30B29/60;C30B31/22 | 主分类号 | C30B33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈文青 |
| 主权项 | 1.一种从晶体结构中分离单晶膜的方法，所述方法包括下述步骤：将离子注入所述晶体结构中，在所述晶体结构的顶表面下方的注入深度处形成损伤层；化学蚀刻所述损伤层，从所述晶体结构中分离出所述单晶膜。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||