| 主权项 |
1.一种电晶体之制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一闸极结构;于该闸极结构侧壁上形成一间隙壁;以该闸极结构和该间隙壁为罩幕进行一第一掺杂步骤,以在该基底中形成一源极/汲极区;在该源极汲极区表面形成一金属矽化物层;去除该间隙壁;以及以该闸极结构为罩幕,进行一第二掺杂步骤,以在该基底中形成浅掺杂汲极结构。2.如申请专利范围第1项所述之一种电晶体之制造方法,其中该第一掺杂步骤包括使用磷离子为掺质。3.如申请专利范围第2项所述之一种电晶体之制造方法,其中,该第一掺杂步骤使用之能量约为40-50keV;植入的剂量约为1E13-8E13atoms/cm2。4.如申请专利范围第1项所述之一种电晶体之制造方法,其中该第二掺杂步骤包括使用砷离子为掺质。5.如申请专利范围第4项所述之一种电晶体之制造方法,其中该第一掺杂步骤使用之能量约为5-10keV;植入的剂量约为1E15-5E15atoms/cm2。6.如申请专利范围第1项所述之一种电晶体之制造方法,其中该闸极结构包括形成于该基底上之一闸氧化层以及形成于该闸氧化层上之一闸极导体层。7.如申请专利范围第6项所述之一种电晶体之制造方法,其中该闸极导体层之材质包括多晶矽。8.一种自动对准金属矽化物之制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一闸极结构;于该闸极结构侧壁上形成一间隙壁;以该闸极结构和该间隙壁为罩幕进行一第一掺杂步骤,以在该基底中形成一源极/汲极区;在该源极汲极区表面形成一金属矽化物层;去除该间隙壁;以及以该闸极结构为罩幕,进行一第二掺杂步骤,以在该基底中形成浅掺杂汲极结构。9.如申请专利范围第8项所述之一种自动对准金属矽化物之制造方法,其中该第一掺杂步骤包括使用磷离子为掺质。10.如申请专利范围第9项所述之一种自动对准金属矽化物之制造方法,其中该第一掺杂步骤使用之能量约为40-50keV;植入的剂量约为1E13-8E13atoms/cm2。11.如申请专利范围第8项所述之一种自动对准金属矽化物之制造方法,其中该第二掺杂步骤包括使用砷离子为掺质。12.如申请专利范围第11项所述之一种自动对准金属矽化物之制造方法,其中该第一掺杂步骤使用之能量约为5-10keV;植入的剂量约为1E15-5E15atoms/cm2。13.如申请专利范围第8项所述之一种自动对准金属矽化物之制造方法,其中该闸极结构包括形成于该基底上之一闸氧化层以及形成于该闸氧化层上之一闸极导体层。14.如申请专利范围第13项所述之一种自动对准金属矽化物之制造方法,其中该闸极导体层之材质包括多晶矽。图式简单说明:第一图A至第一图F是以传统自动对准矽化物的制程以制作半导体元件的流程剖面图;以及第二图A至第二图G是依照本发明一较佳实施例的一种电晶体的制造流程剖面图。 |
