发明名称 |
具有带多重下层的反铁磁耦合磁性层的磁记录盘 |
摘要 |
一种磁记录层,具有反铁磁耦合(AFC)结构,其具有三层下铁磁层(LL1、LL2、LL3)和上铁磁层(UL),所有的四层铁磁层跨过相应的反铁磁耦合层反铁磁耦合在一起。UL具有比三层下层LL1、LL2、LL3每一个的剩磁厚度积(Mrt)大且比LL1和LL3的Mrt值之和大的Mrt。中间下层LL2的Mrt小于其它下层LL1和LL3中每一个的Mrt,结果该AFC结构的合成Mrt的结果小于仅具有单个下层的传统AFC结构的合成Mrt。该AFC结构实现了这种合成Mrt的减小而不增大三层下层中任何一个的Mrt超过传统AFC结构中单个下层的最大Mrt。 |
申请公布号 |
CN100338656C |
申请公布日期 |
2007.09.19 |
申请号 |
CN200510006442.8 |
申请日期 |
2005.02.01 |
申请人 |
日立环球储存科技荷兰有限公司 |
发明人 |
霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01);C22C38/00(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1.一种磁记录盘,包括:基板;第一下铁磁层,在该基板上且具有剩磁Mr、厚度t、剩磁厚度积Mrt;第一反铁磁耦合层,在该第一下铁磁层上;第二下铁磁层,在该第一反铁磁耦合层上,且具有小于该第一下铁磁层的Mrt的Mrt;第二反铁磁耦合层,在该第二下铁磁层上;第三下铁磁层,在该第二反铁磁耦合层上,且具有大于该第二下铁磁层的Mrt的Mrt;第三反铁磁耦合层,在该第三下铁磁层上;以及上铁磁层,在该第三反铁磁耦合层上,且具有大于该第一和第三下铁磁层的Mrt值之和的Mrt,其中该上铁磁层和该第三下铁磁层的磁化方向在剩磁状态下反平行,该第三下铁磁层和该第二下铁磁层的磁化方向在剩磁状态下反平行,该第二下铁磁层和该第一下铁磁层的磁化方向在剩磁状态下反平行。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |