| 发明名称 | 介质层的形成方法及双镶嵌结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种介质层的形成方法，包括：提供具有金属层的半导体基底；用无氮的还原性气体的等离子体对所述金属层进行表面预处理；在所述半导体基底上沉积介质层。本发明还提供一种双镶嵌结构的制造方法。本发明在形成介质层时不会产生突起的缺陷，形成的介质层表面较为平坦。 | ||
| 申请公布号 | CN101355033A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200710044354.6 | 申请日期 | 2007.07.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供具有金属层的半导体基底；用无氮的还原性气体的等离子体对所述金属层进行表面预处理；在所述半导体基底上沉积介质层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||