| 摘要 |
本发明提供一种解决因三次元半导体之surrounding gate transistor(SGT：周边闸晶体)之寄生电阻的增加造成功率消耗的增大以及动作速度的下降，实现SGT的高速化、低功率消耗之半导体装置。本发明的半导体装置，包含：形成于半导体基板上之第一矽柱、形成于前述第一矽柱上的第二矽柱、围绕前述第二矽柱表面的一部分之第一绝缘体、围绕前述第一绝缘体之闸极、形成于前述第二矽柱上的第三矽柱、围绕前述第一矽柱表面的一部分之第一金属矽化物、以及围绕前述第三矽柱表面的一部分之第二金属矽化物，其特征为：藉由前述第一金属矽化物与前述第一矽柱所形成的接触电阻及藉由前述第二金属矽化物与前述第三矽柱所形成的接触电阻系分别比前述半导体装置的基准电阻小。 |
