发明名称 形成遮罩图案之方法
摘要 本发明系关于形成遮罩图案之方法。根据本发明,负光阻层系形成在基板上。负光阻层的一些区域被曝光。将曝光的负光阻层显影。在包含负型作用光阻层之基板上,形成正光阻层。烘烤基板,使氢气扩散进入在负型作用光阻层边界部分之正光阻层。将被氢气扩散进入之正光阻层显影。
申请公布号 TW200925776 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW096145873 申请日期 2007.12.03
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 郑宇荣;沈贵潢
分类号 G03F1/14(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F1/14(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;丁国隆
主权项
地址 南韩