SERIES CONNECTED FLIP CHIP LEDS WITH GROWTH SUBSTRATE REMOVED

摘要

사파이어 기판 상에서 LED 층(18-22)들이 성장된다. 트렌칭 또는 마스크된 이온 주입에 의해 개별 플립칩 LED들이 형성된다. 복수의 LED들을 포함하는 모듈들이 다이싱되고 서브마운트 웨이퍼(44) 상에 탑재된다. LED들 상에 형성된 서브마운트 금속 패턴 또는 금속 패턴이 모듈 내의 LED들을 직렬 연결시킨다. 성장 기판이 그 후 레이저 리프트-오프 등에 의해 제거된다. 탑재 전 또는 후에 반절연층이 형성되어, LED들을 기계적으로 서로 연결시킨다. 반절연성층은 기판과 LED 층들 사이의 층의 이온 주입에 의해 형성될 수 있다. 기판 제거 후에 노출되는 반절연층의 PEC 에칭은 반절연층을 바이어스시킴으로써 수행될 수 있다. 그 후, 서브마운트가 다이싱되어 직렬 연결된 LED들을 포함하는 LED 모듈들을 생성한다.