| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，包括：第一半导体层；第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上方；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜接触所述第二半导体层；以及栅电极，所述栅电极经由所述栅极绝缘膜面对所述第二半导体层，其中，所述第一半导体层包括Al<sub>x</sub>α<sub>l‑x</sub>N层，所述第二半导体层包括Al<sub>y</sub>α<sub>l‑y</sub>N层，其中，α是Ga或In，并且0<x<l，0≦y<l，并且其中，形成所述第二半导体层的Al<sub>y</sub>α<sub>l‑y</sub>N层的y随着测量y的位置接近所述第一半导体层而至少在所述栅电极下方的区域中增加。 | ||
| 申请公布号 | CN105845717A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610317928.1 | 申请日期 | 2012.08.08 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 冈本康弘;中山达峰;井上隆;宫本广信 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一半导体层；第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上方；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜接触所述第二半导体层；以及栅电极，所述栅电极经由所述栅极绝缘膜面对所述第二半导体层，其中，所述第一半导体层包括Al<sub>x</sub>α<sub>l‑x</sub>N层，所述第二半导体层包括Al<sub>y</sub>α<sub>l‑y</sub>N层，其中，α是Ga或In，并且0<x<l，0≦y<l，并且其中，形成所述第二半导体层的Al<sub>y</sub>α<sub>l‑y</sub>N层的y随着测量y的位置接近所述第一半导体层而至少在所述栅电极下方的区域中增加。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||