基于微处理器和MOS管的动态直流电压控制系统

摘要

本实用新型公开了一种基于微处理器和MOS管的动态直流电压控制系统，它包括微处理器、第一级MOS管控压单元、第二级MOS管控压单元、滤波单元、电压测量反馈单元和负载电流监测单元；所述微处理器与外部通信接口连接，所述微处理器包括一个PWM波发生器和一个两通道A/D转化器，所述第一级MOS管控压单元包括N沟道增强型MOS管Q1和电阻R1，所述MOS管Q1的栅极与所述PWM波发生器的输出端连接，所述MOS管Q1的漏极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端与电源正极连接，所述MOS管Q1的源极连接接地端。通过本实用新型其输出的直流电压具有较高的驱动能力和较宽的变化范围。

主权项

一种基于微处理器和MOS管的动态直流电压控制系统，其特征在于它包括微处理器(1)、第一级MOS管控压单元(2)、第二级MOS管控压单元(3)、滤波单元(4)、电压测量反馈单元(5)和负载电流监测单元(6)；所述微处理器(1)与外部通信接口(7)连接，所述微处理器(1)包括一个PWM波发生器和一个两通道A/D转化器，所述第一级MOS管控压单元(2)包括N沟道增强型的MOS管Q1和电阻R1，所述MOS管Q1的栅极与所述PWM波发生器的输出端连接，所述MOS管Q1的漏极连接所述电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端与电源正极连接，所述MOS管Q1的源极连接接地端；所述第二级MOS管控压单元(3)包括P沟道增强型的MOS管Q2和N沟道增强型的MOS管Q3，所述MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极和MOS管Q1的漏极相连接，所述MOS管Q2的源极连接电源正极，所述MOS管Q2的漏极连接MOS管Q3的漏极，所述MOS管Q3的源极连接接地端；所述滤波单元(4)包括电感L和电容C，所述电感L的一端与所述MOS管Q2的漏极连接，所述电感L的另一端与所述电容C的正极和输出电压的正极连接，所述电容C的负极连接接地端；所述电压测量反馈单元(5)包括电阻R2和电阻R3，所述电阻R2一端与输出电压的正极连接，所述电阻R2另一端与所述A/D转化器的输入端和电阻R3一端连接，所述电阻R3另一端与接地端连接；所述负载电流监测单元(6)包括电阻R4，所述电阻R4一端连接输出电压的负极和所述A/D转化器的输入端，所述电阻R4另一端与接地端连接。