| 主权项 |
1.一种制造薄膜的方法,其所包含的步骤为:(a)将基板载入反应室中;(b)以特定原子终端化载入反应室之基板表面;(c)藉由将第一反应物射入包含终端化基板的反应室,而将该第一反应物化学吸附在终端化基板上(d)将物理吸附于终端化基板上的第一反应物移除;以及(e)藉由将第二反应物射入包含第一反应物化学吸附于其中的基板的反应室中,则经由化学吸附的第一反应物与第二反应物之间的化学交换或反应,而形成一固态薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其更包含在步骤(a)之前将吸附或形成在基板表面上的杂质层移除的步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其更包含在步骤(e)之后将固态薄膜形成期间所产生的中间反应物移除的步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由至少重复二次将包含特定原子的气体射入,而将基板表面终端化。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该特定原子系氧或氮原子。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板系矽基板。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一和第二反应物为TMA与H2O。8.如申请专利范围第1项之方法,其中组成基板之原子与特定原子间的结合能,系大于组成第一反应物之配位基与组成基板之原子间的结合能。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该固态薄膜系由单原子薄膜、单原子氧化物、复合氧化物、单原子氮化物及复合氮化物所组成的族群中择一。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该单原子薄膜系由Mo、Al、Cu、Ti、Ta、Pt、Ru、Rh、Ir、W与Ag所组成的族群中择一。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该单原子氧化物系由Al2O3.TiO2.Ta2O5.ZrO2.HfO2.Nb2O5.CeO2.Y2O3.SiO2.In2O3.RuO2与IrO2所组成的族群中择一。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该复合氧化物系由SrTiO3.PbTiO3.SrRuO3.CaRuO3.(Ba,Sr)TiO3.Pb(Zr,Ti)O3.(Pb,La)(Zr,Ti)O3.(Sr,Ca)RuO3.掺杂Sn的In2O3.掺杂Fe的In2O3.以及掺杂Zr的In2O3所组成的族群中择一。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该单原子氮化物系SiN、NbN、ZrN、TaN、Ya3N5.AlN、GaN、WN与BN。14.如申请专利范围第9项之方法,其中该复合氮化物系由WBN、WSiN、TiSiN、TaSiN、AlSiN与AlTiN所组成的族群中择一。图式简单说明:第一图至第四图系说明一种根据本发明之制造薄膜的方法;第五图系示意地表示一种用于根据本发明制造薄膜的方法之制造薄膜的设备;第六图系用于说明根据本发明之制造薄膜的方法的流程图;第七图及第八图系分别表示根据本发明之薄膜制造法及传统技术所制造之氧化铝膜的XPS分析结果图;第九图系表示使用本发明所制造的氧化铝做为介电膜之电容器的漏电流特性图;以及第十图系表示使用本发明所制造的氧化铝做为介电膜之电容器的电容量图。 |
