发明名称 FLASH MEMORY REDUNDANCY CIRCUIT
摘要
申请公布号 KR0149526(B1) 申请公布日期 1998.10.01
申请号 KR19940022306 申请日期 1994.09.06
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS IND. CO.,LTD 发明人 SIM, HYUN-SOO
分类号 H01L27/10;(IPC1-7):H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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