| 主权项 |
1.一种沟渠式电容器,包括:-一个沟渠(108),其形成在基体(101)中且具有一个上部区域(109)和一个下部区域(111);-一个隔离领(168),其形成在沟渠(108)之上部区域(109)中;-一个埋入式盆状区(170),其形成在基体(101)中且至少一部份是由沟渠(108)之下部区域(111)所形成;-一个埋入板(165),其作为电容器外部电极且形成在沟渠(108)之下部区域(111)中;-一个作为电容器介电质用之介电层(164),以便覆盖沟渠(108)和隔离领(168)之下部区域(111);-一种导电性沟渠填充物(161),其填入沟渠(108)中,此种沟渠式电容器之特征为:基体(101)具有一种由植入,电浆掺杂及/或气相掺杂所形成之埋入式接触区(250)。2.如申请专利范围第1项之沟渠式电容器,其中在导电性沟渠填充物(161)上之沟渠(108)中存在一种导电性埋入式条片(162)。3.如申请专利范围第1或第2项之沟渠式电容器,其中沟渠(108)具有一种瓶子式之形式且在沟渠(108)之瓶子形式之如宽区域中在导电性沟渠填充物(161)中形成一种中空空间(172)。4.如申请专利范围第1或第2项之沟渠式电容器,其中导电性埋入式条片(162)在导电性沟渠填充物(161)及埋入式接触区(250)之间形成一种连接。5.如申请专利范围第1项之沟渠式电容器,其中埋入式接触区(250)之界面(201)上配置一种隧道层(205)。6.如申请专利范围第4项之沟渠式电容器,其中埋入式接触区(250)之界面(201)上配置一种隧道层(205)。7.如申请专利范围第5项之沟渠式电容器,其中隧道层由氧化物,氮化物或氧化氮化物所构成。8.如申请专利范围第1或第5项之沟渠式电容器其中沟渠式电容器经由埋入式接触区(250)而与电晶体(110)相连接。9.一种沟渠式电容器之制造方法,包括以下各步骤:-基体(101)中形成一种埋入式盆状区(170);-形成一种沟渠(108),其由基体(101)中之上部区域9109)和下部区域(111)所构成;-在沟渠(108)之上部区域(109)中形成一种隔离领(168);-形成一种埋入板(165)以作为电容器之外部电极,此埋入人板(165)是在沟渠(108)之下部区域(111)之周围中之基体(101)中;-形成介电层(164)以作为电容器介电质以便覆盖沟渠(108)之下部区域(111)以及隔离领(168)之内侧;-以导电性沟渠填充物(161)填入沟渠(108)中作为电容器内部电极,本方法之特征是:藉由植入,电浆掺杂及/或气相掺杂而引进一种掺杂物质以形成埋入式接触区(250)。10.如申请专利范围第9项之方法,其中藉由倾斜式或等向性植入经由一种裸露-或设有发散氧化物之界面(201)而引进上述之掺杂物质以形成上述之埋入式接触区(250)。11.如申请专利范围第9项之方法,其中藉由气相掺杂经由界面(201)而引进上述之掺杂物质以形成上述之埋入式接触区(250)。12.如申请专利范围第11项之方法,其中气相掺杂是在温度800℃和1200℃之间以及压力为500pa和50kpa之间时进行。13.如申请专利范围第10,11,或12项之方法,其中埋入式接触区(250)之界面(201)上形成一种隧道层(205)。14.如申请专利范围第13项之方法,其中隧道层(205)是由氧化物,氧氮物及/或氧化氮化物而形成。15.如申请专利范围第9项之方法,其中导电性沟渠填充物(161)上形成一种导电性埋入式条片(162)。16.如申请专利范围第9项之方法,其中沟渠(108)之下部区域(111)相对于沟渠(108)之上部区域(109)而扩大以形成一种瓶子式之形式。17.如申请专利范围第15或16项之方法,其中埋入式接触区(250),隧道层(205)以及导电性埋入式条片(162)是依某种制程顺序来进行而不须暂时性地将基体(101)由程序室中取出。图式简单说明:第一图本发明之DRAM记忆体单胞之实施例,其对应于本发明之方法之第一实施形式。第二图a,第二图b本发明制道第一图之DRAM记忆体单胞所用方法之第一实施形式。第三图本发明之DRAM记忆体单胞之实施例,其对应于本发明之方法之第二实施形式。第四图a,第四图b本发明制造第三图之DKAM记忆体单胞所用方法之第二实施形式。第五图本发明之DRAM记忆体单胞之实施例,其对应于本发明之方法之第三实施形式。第六图一般DRAM记忆体单胞之一个例子。第七图a-第七图g制造第六图之DRAM记忆体单胞所用方法之一种形式。第八图一般DRAM记忆体单胞之另一个例子。第九图一般DRAM记忆体单胞之另一个例子。第十图一般DRAM记忆体单胞之另一个例子。第十一图a-第十一图d制造第十图之DRAM记忆体单胞所用方法之一种形式。第十二图一般DRAM记忆体单胞之另一个例子。第十三图形成一种埋入式接触区所用之原处(insitu)之制程序列。 |
