氮化物基化合物半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有对于n电极的欧姆接触特性改善的氮化物基半导体发光装置及其制造方法。所述氮化物基半导体发光装置包括n电极、p电极、和在n和p电极之间形成的n型化合物半导体层、有源层、和p型半导体层。所述n电极包括由选自Pd、Pt、Ni、Co、Rh、Ir、Fe、Ru、Os、Cu、Ag、和Au构成的组的至少一种元素形成的第一电极层；和使用包含选自由Ti、V、Cr、Zr、Nb、Hf、Ta、Mo、W、Re、Ir、Al、In、Pb、Ni、Rh、Ru、Os、和Au构成的组的至少一种元素的导电材料而在所述第一电极层上形成的第二电极层。

主权项

1.一种氮化物基化合物半导体发光装置，包括n电极、p电极、和在所述n电极和p电极之间形成的n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层，其中所述n电极包括：由选自Pd、Pt、Ni、Co、Rh、Ir、Fe、Ru、Os、Cu、Ag、和Au构成的组的至少一种元素形成的第一电极层；和使用包含选自由Ti、V、Cr、Zr、Nb、Hf、Ta、Mo、W、Re、Ir、Al、In、Pb、Ni、Rh、Ru、Os、和Au构成的组的至少一种元素的导电材料而在所述第一电极层上形成的第二电极层。