发明名称 |
曝光装置 |
摘要 |
本发明提供一种曝光装置。在该曝光装置中,对从激光二极管(LD)的发光点发出的光束通过狭缝进行限制。狭缝把光束限制在与LD的活性层正交的方向,并具有使设有狭缝的板可以在该正交方向移动的移动机构。由于光束和散射光的对物焦点不同,所以为了在发光点的附近,即,在接近光点为最小的点的部位限制光束,仅将散射光有效地遮断,在发光点的附近设置该狭缝板。 |
申请公布号 |
CN100338529C |
申请公布日期 |
2007.09.19 |
申请号 |
CN200410008889.4 |
申请日期 |
2004.03.25 |
申请人 |
富士胶片株式会社 |
发明人 |
早川利郎;松本研司;森本美范;齐藤贤一 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01S3/00(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李辉 |
主权项 |
1.一种曝光装置,把GaN系列蓝色半导体激光器用作光源,其特征在于:在所述半导体激光器的活性层和最接近所述活性层的耦合透镜之间设置限制通过光束的第1限制装置,所述第1限制装置包括形成在板上的狭缝,所述第1限制装置的限制方向是与所述半导体激光器的活性层正交的方向,在把所述第1限制装置的限制方向的开口宽度设为D,把从所述活性层的发光面到所述第1限制装置的距离设为L,把来自所述发光面的光束扩散角度设为α时,构成为满足下述条件,D/{2L·tan(α/2)}≤2.0。 |
地址 |
日本东京都港区西麻布二丁目26番30号 |