发明名称 |
访问存储装置时延滞控制的方法和电路 |
摘要 |
本发明提供了一种为访问存储装置提供延迟的方法、集成电路存储装置中的使用所述方法的电路、和为访问存储装置提供的可变延迟控制电路,所述为访问存储装置提供延迟的方法可包括:在存储器操作期间,根据至少一个参数调整用于访问数据的延迟,其中所述参数与提供给该存储器的电压电平的减少有关。利用所述方法,最小化或减少了由于功率噪声而产生的影响。 |
申请公布号 |
CN100592423C |
申请公布日期 |
2010.02.24 |
申请号 |
CN200410103798.9 |
申请日期 |
2004.12.15 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
李相普 |
分类号 |
G11C11/407(2006.01)I;G11C8/00(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I;G06F12/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/407(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
王志森;黄小临 |
主权项 |
1.一种为访问存储装置提供延迟的方法,所述方法包括:在存储器操作期间,根据与提供给该存储器的电压电平的减少相关联地变化的至少一个参数来调整用于访问数据的延迟,其中所述至少一个参数包括要执行的存储器操作的类型和/或要执行的存储器操作的数量,并且所述要执行的存储器操作的类型包括激活操作、读操作和写操作。 |
地址 |
韩国京畿道 |