| 发明名称 | 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置。所述薄膜晶体管的制造方法通过在有源层上方形成保护层，从而在刻蚀形成源漏电极时保护有源层免受刻蚀液的腐蚀。在刻蚀源漏金属层材料时，去除源漏电极之间区域的源漏金属材料，露出保护层，从而在最后剥离源漏电极上方光刻胶时一并去除保护层，从而使所述保护层去除的更彻底，避免了残留的保护层材料对薄膜晶体管特性的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN105742186A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610133484.6 | 申请日期 | 2016.03.09 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 郭会斌;张小祥;王静 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 柴亮;张天舒 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在有源层上方形成保护层、源漏金属层，在源漏金属层上涂覆光刻胶并形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中光刻胶保留区域对应待形成源漏电极的区域，光刻胶不保留区域对应其他区域；刻蚀掉光刻胶不保留区域的源漏金属层，形成源漏电极，露出有源层上方的所述保护层；同时去除所述保护层和源漏电极上方的光刻胶。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||