| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的题目是一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供一透光衬底，其具有一可视区及一非可视区；共平面地形成一栅极及至少一对位记号于透光衬底上，栅极位于可视区，对位记号位于非可视区；形成一栅极绝缘层覆盖于栅极及对位记号上；形成一氧化半导体层于栅极绝缘层上，并位于栅极上方；以及形成一蚀刻终止层于栅极及对位记号上方。 | ||
| 申请公布号 | CN105845555A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510019256.1 | 申请日期 | 2015.01.14 |
| 申请人 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 | 发明人 | 吴健豪;李懿庭 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供一透光衬底，其具有一可视区及一非可视区；共平面地形成一栅极及至少一对位记号于所述透光衬底上，其中所述栅极位于所述可视区，所述对位记号位于所述非可视区；形成一栅极绝缘层覆盖于所述栅极及所述对位记号上；形成一氧化半导体层于所述栅极绝缘层上，并位于所述栅极上方；以及形成一蚀刻终止层于所述栅极及所述对位记号上方。 | ||
| 地址 | 210038 江苏省南京市经济技术开发区恒飞路18号 | ||