| 主权项 |
1.一种晶圆表面重新布置构造,该晶圆表面包含:数个晶片,其排列于该晶圆上;数条切道,其相互交错并隔离每一晶片;数个焊垫,其设于该晶片表面上;数条引线,其电性连接于该焊垫并进行重新布置至晶片之一预定位置;一绝缘层,其覆盖于该焊垫及引线上;数个第一开口,其设置于该绝缘层上供导线裸露;及数个第二开口,其设置于该绝缘层上供导线裸露;其中该第一开口及相对应的第二开口经引线连接至相对应的焊垫。2.依申请专利范围第1项之晶圆表面重新布置构造,其中该第一开口及第二开口分别位于焊垫的两侧。3.依申请专利范围第1项之晶圆表面重新布置构造,其中该第一开口上形成一锡球供进行覆晶焊接制程。4.依申请专利范围第1项之晶圆表面重新布置构造,其中该第二开口上形成一测试锡球供进行测试制程及灼烧制程。5.依申请专利范围第4项之晶圆表面重新布置构造,其中该第二开口上形成一测试锡球供进行测试制程及灼烧制程,该锡球的高度高于测试锡球的高度,使得该晶片在焊接于基板上时,避免该测试锡球的高度过高而阻碍该晶片与基板的结合。6.依申请专利范围第1项之晶圆表面重新布置构造,其中该第二开口上形成一测垫供进行测试制程及灼烧制程。图式简单说明:第一图:习用美国专利第5,600,257号半导体晶圆测试及灼烧装置之分解立体图;第二图:本创作较佳实施例晶圆之上视图;第三图:本创作第二图之局部放大图;第四图:本创作较佳实施例晶圆进行重新布置后之上视图;第五图:本创作第四图沿5-5线之剖面图;第六图:本创作第一较佳实施例晶片进行重新布置后之剖视;及第七图:本创作第二较佳实施例晶片进行重新布置后之剖视。 |
